科技进展

上海微系统所在相变存储器研究取得重要进展

  

2018121日至5日,第64届国际电子器件大会International Electron Devices Meeting, IEDM在美国加州旧金山举行,中科院上海微系统所宋志棠研究员团队的最新研究成果入选其列(论文题目:High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped Ge2Sb2Te5 in 40 nm Node for Embedded Application)。这项工作是中科院上海微系统所联合中芯国际集成电路有限公司,在40nm工艺节点,采用碳掺杂的GST材料作为存储介质,研制出128Mb相变存储器芯片。该芯片Reset/Set比值超过了100,芯片良品率达到了93.3%,疲劳寿命超过108次方。并且该芯片具有良好的热可靠性,十年数据保持力高达128oC260oC烘烤5分钟后存储窗口保持良好,完全满足嵌入式存储器应用要求。

该论文是中国大陆地区第一篇被IEDM会议接收的关于相变存储器的论文,标志着我所在相变存储器的研究已经处于国际先进水平,表明我国相变存储器的研究获得了国际同行的认可。该工作得到国家科技重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院战略性先导科技专项等相关研究计划的支持。

IEDMInternational Electron Devices MeetingIEEE国际电子元件会议),在国际微电子领域具有权威的学术地位和广泛的影响力。每年12月在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行。该会议作为一个论坛,主要报道国际半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。是著名高校、研发机构和行业领军企业报告其最新研究成果和技术突破的主要平台。该会议具有风向标的作用,被誉为微电子器件领域的奥林匹克盛会