Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率
第一作者: |
陈茜;王海龙;汪辉;龚谦;宋志棠; |
摘要: |
在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyA...
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联系作者: |
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页码: |
349-354 |
期: |
22 |
学科: |
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外单位作者单位 : |
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发表年度: |
2013 |
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刊物名称: |
物理学报 |
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