三维相变存储阵列驱动二极管的制备研究
第一作者: |
刘旭焱;宋三年;刘卫丽;宋志棠; |
摘要: |
结合新一代高集成度三维集成电路和新型相变存储技术,以三维相变存储单元阵列的实现为目标,进行了用于存储单元的驱动和开关作用的二极管阵列的制备实验。在借助低温等离子体活化键合技术获得了良好的键合界面之后,利用智能剥离法成功转移了单晶PN结二极管层到含有金属W电极阵列的基片上,并制备了垂直二极管阵列。经过聚焦离子束加工和电镜观察得知基片上小型W电极与转移来的PN结构Si层接触良好,测试得到了标准的二极管特性曲线,开关比达到4个数量级。不过实验制备的二极管漏电流较大,开关比偏低,这些问题还需要在将来实验环境的改进和工艺的优化中得到解决。
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联系作者: |
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页码: |
270-274 |
期: |
6 |
学科: |
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外单位作者单位 : |
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发表年度: |
2013 |
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刊物名称: |
功能材料与器件学报 |
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