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一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法
专利名称: 一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 201310736928.1
专利号:
申请日期: 2013-12-27
第一发明人: 王庶民
第一发明人英文:
其他发明人: 李耀耀、龚谦、程新红
其他发明人英文:
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国外申请方式:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 受理
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