专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法

专利名称:	体引出结构SOI场效应晶体管等效电学模型及建模方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201110072207.6
专利号:
申请日期:	2011-3-24
第一发明人:	陈静
第一发明人英文:
其他发明人:	伍青青; 罗杰馨; 柴展; 王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2013-6-26
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: