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以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法
专利名称: 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 01126315.6
专利号:
申请日期: 2001-7-20
第一发明人: 万青
第一发明人英文:
其他发明人: 章宁琳、林青、沈勤我、张苗、林成鲁
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期: 2004-6-9
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: