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深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法
专利名称: 深反应离子刻蚀技术中可动结构的牺牲层保护方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 00119595.6
专利号:
申请日期: 2000-8-11
第一发明人: 王东平
第一发明人英文:
其他发明人: 王文辉、李铁、杨艺榕、王跃林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期: 2004-2-4
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: