运行中

高精度深反应离子刻蚀设备

SPTS

设备主要功能、技术指标和样品要求

使用方法
深硅刻蚀
主要技术指标
刻蚀速率>4um/min; 均匀性<±5%
备注
碎片、残片、贴片、小片子、背面带胶、金金属暴露的不能进行刻蚀。预约前请联系工作人员确认当前刻蚀环境(深刻蚀和浅刻蚀需要环境切换,需要做氧清洗和刻蚀环境)。
收费标准
预约方式
管理人员及联系方式
庞俊
所属平台
MEMS技术平台
存放位置
8号楼103房间

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