设备主要功能、技术指标和样品要求

使用方法

深硅刻蚀

主要技术指标

刻蚀速率>4um/min; 均匀性<±5%

备注

碎片、残片、贴片、小片子、背面带胶、金金属暴露的不能进行刻蚀。预约前请联系工作人员确认当前刻蚀环境（深刻蚀和浅刻蚀需要环境切换，需要做氧清洗和刻蚀环境）。

管理人员及联系方式

庞俊

所属平台

MEMS技术平台

存放位置

8号楼103房间