聚焦离子束扫描电子显微镜HeliosG4 UX借助无与伦比的低电压性能，Phoenix 聚焦离子束 (FIB) 镜筒不仅在高电压下提供高分辨率成像和铣削，而且现在将无与伦比的 FIB 性能扩展到低至 500V 的加速电压，从而制备损伤层为亚纳米级的超薄TEM和APT薄片样品，尤其适用小于10nm的关键尺寸，对复杂的结构进行快速精确的加工制备。该型号采用具有较高电流的下一代UC+单色仪技术，使得电子束镜筒能揭示最细致入微的细节，实现低能量下亚纳米级性能，同时配备7个集成的镜筒内和透镜下方探测器获取清晰、精良且不受电荷影响的对比度的最完整的样品信息。

　　制备超薄HR S/TEM和APT样品2对感兴趣的区域进行最精确的定位，提供最高质量多模态亚表层和三维信息3用于材料和器件结构进行快速精确的离子束刻蚀、离子束沉积和电子束沉积4制备微纳结构。