ICP 刻蚀机

设备型号
鲁汶仪器 HAASRODE-E200
设备简介
利用ICP辉光放电,形成活性的等离子体进行化学物理反应,主要用于Si、GaAs、InP和GaN等化合物材料刻蚀。
技术指标
1)基片大小:最大8英寸,兼容小片;2)ICP源功率: 最大1200W;3)RIE源功率:最大1000W;4)下电极温度:-20℃~80℃;5)不均匀性:≤±5%;

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    所级中心拟通过统筹规划、优化资源配置,加强技术支撑系统建设,建立装备一流、管理一流、技术服务一流的所级公共技术服务中心,实现仪器设备的高效共享利用。 沪ICP备05005483号-1