UVNANO-100-A

用于多种基底材料的1:1掩膜投影光刻，最大4英寸，最小线宽100nm。

技术指标：

用于各种基底材料的单步光刻，曝光光源为LED(波365nm紫外光)，具有接触式曝光和步进式曝光相结合的曝光模式。