磁控溅射系统01

设备型号
Lesker/PVD750
设备简介
采用氩离子轰击靶材将薄膜沉积到基片上,可直流、射频及多靶共溅射,可溅射Ti、Pt、Au、Ta、Cr及氮化物反应溅射。
技术指标
1)基片大小:最大6英寸,兼容小片2)极限真空:4×10-5Pa;3)不均匀性≤±5%

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