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专利 |
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| 专利名称 |
申请号 |
申请日期 |
第一发明人 |
其它发明人 |
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一种面向QoE需求的物联网安全路由方法 |
2016100739188 |
2016-2-2 |
李凤荣 |
刘衍青,汪涵,张力,施玉松,罗炬锋,邱云周,郑春雷 |
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一种基于分形理论的目标检测背景估计方法 |
2016100734786 |
2016-2-2 |
吕伟 |
吕伟,李宝清,袁晓兵 |
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一种基于单帧数据的实时图像增强方法 |
2016100739169 |
2016-2-2 |
吕伟 |
刘华巍,丁园园,张泽斌,李宝清,袁晓兵 |
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台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法 |
2016100705035？ |
2016-2-1 |
熊伟 |
应利良; 王会武; 任洁; 王镇 |
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一种SOI双端口静态随机存储器单元及其制作方法 |
2016100086942？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 |
2016100086637？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法 |
2016100089283？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法 |
2016100080876？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI单端口静态随机存储器单元及其制作方法 |
201610008668X？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 |
2016100086923？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法 |
2016100089194？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 伍青青; 罗杰馨; 王曦 |
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一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法 |
2016100086463？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 黄建强; 王曦 |
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一种SOI MOS器件及其制作方法 |
201610008650X？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 罗杰馨; 王曦 |
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一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法 |
201610008065X？ |
2016-1-7 |
陈静 |
何伟伟; 伍青青; 罗杰馨; 王曦 |
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一种用于无线通信节点的超低功耗欠采样接收机 |
2016100034666 |
2016-1-4 |
田彤 |
孟凡振、刘宏、汪明亮 |
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包含部分限定型相变材料结构的相变存储单元及制作方法 |
201610066316X？ |
2016-1-29 |
刘波 |
宋志棠; 许震; 封松林 |
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一种直读式磁通调制读出电路及方法 |
2016100663314？ |
2016-1-29 |
荣亮亮 |
张懿; 蒋坤; 王永良; 伍俊; 谢晓明 |
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一种用于核磁共振成像的低噪声放大器 |
201610066925.5 |
2016-1-29 |
孙晓玮 |
闵文超，高兴振，顾建忠 |
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一种基于RS/LDPC编码技术的太赫兹通信系统 |
2016200754821？ |
2016-1-26 |
刘纯 |
王长; 曹俊诚 |
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一种基于RS/LDPC编码技术的太赫兹通信系统 |
2016100513552？ |
2016-1-26 |
刘纯 |
王长; 曹俊诚 |
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