化合物半导体材料是太赫兹光子学器件研制的基础，其与硅基光电子技术融合可实现片上光源、调制、传输等关键器件，为高性能太赫兹光子学器件和光子系统集成提供解决方案。实验室开展GaAs/AlGaAs异质结材料、稀铋半导体材料及器件、InGaAs探测材料、片上光源、太赫兹器件以及大规模硅基光电集成研究，建设国际领先的高端光电材料与器件研究基地。