专利
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专利名称 申请号 申请日期
具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法 2020108496053 2020/8/21
基于图形化埋层介质层的环栅场效应晶体管的制备方法 2020108496091 2020/8/21
基于空腔包围结构的环形栅场效应晶体管及制备方法 2020108507819 2020/8/21
基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法 2020108505989 2020/8/21
具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法 2020108495559 2020/8/21
可降低对准难度的SOI器件及其制备方法 2020108496265 2020/8/21
具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法 2020108506464 2020/8/21
减少侧边漏电的SOI场效应晶体管及其制备方法 2020108495987 2020/8/21
具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法 2020108506676 2020/8/21
具有隔离层的鳍式场效应晶体管及其制备方法 2020108495949 2020/8/21
一种磁通驱动约瑟夫森参量放大器及其制备方法 2020108494471 2020/8/21
具有空腔结构的半导体衬底及其制备方法 2020108495845 2020/8/21
具有辅助支撑结构的半导体衬底及其制备方法 202010850620X 2020/8/21
改善自热效应的SOI 器件及其制备方法 2020108495811 2020/8/21
具有纳米级空腔结构的SOI衬底及其制备方法 2020108506178 2020/8/21
超导连接通道及其制备方法 2020108447536 2020/8/20
毫米波三维全息图像去噪方法 2020108348193 2020/8/19
低温超导薄膜 2020108386180 2020/8/19
超导纳米线及超导纳米线单光子探测器 2020108376600 2020/8/19
一种森林草原火灾监测系统 2020108171507 2020/8/14