8月13日，国家纳米重大科学研究计划项目“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”中期总结会在依托单位中科院上海微系统与信息技术研究所召开。

国家科技部傅小锋处长、国家纳米中心任红轩副处长、上海市科委社会发展处过浩敏副处长等领导，南京大学陈坤基教授、中科院上海技术物理研究所陆卫研究员、中科院上海高等研究院封松林研究员、纳米技术及应用国家工程研究中心何丹农研究员、中科院基础局赵蕊博士、上海市科委基础处胡睦处长、上海先进半导体谢志峰总裁等专家，上海微系统所长王曦院士、科技处程建功处长以及项目组成员共计60余人出席了此次会议。会议由中科院上海微系统与信息技术研究所所长助理宋志棠研究员主持。

宋志棠研究员对与会专家领导致欢迎词。傅小峰处长、胡睦处长、陈坤基教授分别讲话，肯定了PCRAM项目组目前取得的阶段性成果，并强调总结会议的意义在于审核实施情况与原定目标的一致性，总结前两年工作的基础上，调整后三年研究内容和目标。王曦院士代表我所向各位领导及专家对微系统所科研工作的支持表示了衷心感谢，肯定了PCRAM产业化研究队伍的运行模式、队伍的强大与取得的成果，作为所“十二五”战略规划项目之一，微系统所将全力配合推进PCRAM芯片产业化进程。

刘波研究员代表项目组汇报项目完成的总体情况，就项目总体目标、前两年指标和项目进展情况进行整体概述。课题组宋三年、陈后鹏、吴关平、陈小刚等科研人员，就项目涉及的新型相变材料的开发及原理计算、相变存储器芯片电路设计和专利布局、器件结构和工艺的创新、芯片测试及应用等四个部分详细汇报了项目的技术进展情况。与会专家成员封松林研究员、陆卫研究员、何丹农研究员等就项目的具体实施内容和研究目标进行了热烈的讨论，并提出了具有针对性的宝贵建议和指导，要求项目组总结报告应进一步明确PCRAM应用目标、强调技术路线、突出研究目标和产业化意义、凝练出亮点和创新内容。

最后宋志棠研究员总结发言，表示课题组会严格按照专家组意见认真整理汇报报告、根据此次的建议意见对原定目标和任务进行合理的调整，明确后三年的发展规划。并表示存储器的技术趋势预示着PCRAM良好的发展前景，在国家科技部、中科院、上海市科委等支持下，课题组团队会一如既往精诚合作，攻克难点，转变观念，注重芯片产业化，大力推动PCRAM项目的产业化进程，制造具有我国自主知识产权的PCRAM存储器。