日前，2006年度国家科学技术奖评选结果在京揭晓， 我所“高端硅基SOI材料研发和产业化”项目获得了2006年 度国家科技进步奖一等奖。 此次国家科学技术进步奖一等 奖有11项，二等奖173项。“高端硅基SOI材料研发和产业 化”项目的主要完成人为：王曦，林成鲁，张苗，陈猛， 俞跃辉，张峰，李炜，宋志棠，张正选，刘卫丽，王连 卫，林梓鑫，陈静，李守臣。

    这是我所作为第一完成人和上海新傲科技有限公司共 同实现了国家科技进步一等奖的零突破；是自进入知识创 新一期、二期试点工程以来，经过广大科技人员的共同努 力，围绕着系统带器件，器件带材料的办所理念，实现了 我所转型以来系统、器件、材料三个层面全方位的重大突 破；也是继60年代“甲种分离膜”以来，我所通过知识创 新工程，广大科研人员不断更新观念，围绕着国家的战略 需求，锐意进取，勇攀科技高峰所取得的又一重大成果 “集群”。