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2016国际MOS-AK 研讨会在上海微系统所成功举办
2016年07月05日    二室

  626日至28日,国际 MOS-AK研讨会在上海微系统所成功举办。本次研讨会由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)的信息功能材料国家重点实验室和上海微技术国际合作中心(SIMTAC)联合主办。由是德科技有限公司(Keysight Technologies、北京博达微科技有限公司(PDA)、深圳市易捷测试技术有限公司等参与赞助。为期三天的研讨会吸引了国内外近百人参加。 

  中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长谢晓明研究员做了开幕致辞,高度肯定本次活动的意义,并祝愿本次研讨会圆满成功。 

  626日培训部分,大会邀请到了IC-CAP作者Dr. Franz Sischka RF NOISE等领域的世界著名专家给大家做了非常有KNOW-HOW的主题报告。627日至28日研讨会部分,来自德国、瑞士、美国、香港的专家做了深入浅出的邀请主题报告;同时来自国内外的二十位嘉宾也带来了各自在模型领域的一些最新发现和研究。议题主要针对先进半导体技术及工艺,如CMOSSOIFINFETIII-V族;应用领域主要集中在数字模拟、高频、高可靠性等方面。参会人员囊括了国内主流的半导体厂、设计公司、EDA厂商、科研机构和知名学府。 

  其中,清华大学微电子学研究所余志平教授应邀发表了题为《The Critical Role of Quantum Capacitance in Compact Modeling of Nano-Scaled and Nanoelectronic Devices》的主题报告。清华大学王燕教授、香港科技大学张立宁博士、杭州电子科技大学苏江涛博士等也作了精彩的主题演讲。 

  中国科学院上海微系统与信息技术研究所的陈静研究员作了《Research progress of SOI devices and modeling in SIMIT》主题报告,主要介绍了上海微系统与信息技术研究所关于“SOI器件和模型”的研究成果。 

  华为海思半导体公司作为产业研发与应用领袖企业之一也出席了本次研讨会。王生荣博士做了精彩主题演讲报告《The reliability design of GaAs pHEMT process : failure mode investigation and aging model development 》。华为海思半导体公司在模型方面的研究进一步体现了华为的核心价值,也很好地昭示了其他众多公司不能同华为在同一起跑线上竞争的原因。 

  最后,上海微技术国际合作中心总裁高腾博士发表闭幕演讲,并感谢各位参会的嘉宾。在热烈的掌声中,本次研讨会圆满落幕! 

  这次活动促进了国内外半导体厂、设计公司、EDA厂商和科研机构在模型知识方面的交流,提升了参会人员的学术水平与工作能力,促使大家了解器件模型领域的重大发展趋势。本次研讨会为上海微系统与信息技术研究所的器件与模型方向扩大了国际影响,同时也为实现先进工艺及MORE THAN MOORE模型产业本地化打下了扎实的基础!

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