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上海微系统所举行邹世昌八十寿辰学术研讨会
2011年07月22日    党政办      浏览次数 

7月21日下午,中科院上海微系统所举行了中国科学院院士、材料学家邹世昌先生八十寿辰庆贺会暨学术研讨会。中国科学院院长、中国科学院学部主席团执行主席白春礼,上海市浦东新区科协主席、中科院院士陈凯先等发来贺信和贺电。

邹世昌是我国著名的材料科学家,他投身科学事业近六十载,是“两弹一星”的研制专家之一和是我国集成电路产业的重要先驱者,曾获国家发明一等奖、中国科学院自然科学、科技进步、发明奖等14项奖励,发表学术论文近400篇,培养研究生50余人。他长期担任研究所的主要领导,不仅是一位治学严谨的科学家,而且是一位德高望重的科技工作领导者。

中国科学院副院长江绵恒、中科院上海分院常务副院长朱志远,中科院院士、清华大学教授柳百新,中科院院士、山东大学教授王克明,中科院院士、上海交通大学教授雷啸林,中科院上海高等研究院院长封松林,上海华虹集团党委书记、董事长、上海市集成电路行业协会会长傅文彪,上海宏力半导体制造有限公司总经理王煜,上海华虹NEC电子有限公司总裁兼CEO邱慈云、上海集成电路研发中心总裁赵宇航以及邹世昌的亲属、学生代表和来自浦东新区科协、日新株式会社、上海微系统所、上海新傲科技股份有限公司等单位的领导、职工和研究生160余人参加会议。

上海微系统所党委副书记俞跃辉主持会议。

朱志远常务副院长宣读了白春礼院长的贺信,上海微系统所所长王曦院士、清华大学柳百新院士和傅文彪董事长分别致辞,学生代表宋朝瑞博士向邹世昌敬献了鲜花,感谢他为我国科技事业做出的卓越贡献,与会同志收看了描述邹世昌科技生平的视频《大梦无疆》。

曾师从于邹世昌的王曦院士、杨根庆研究员、方子韦博士和上海宏力半导体制造有限公司副总经理孔蔚然博士做了学术报告。

王曦在《SOI技术发展回顾及展望》中介绍了SOI技术的主要特点和应用方向,定义了“S3”(SOI @ SIMIT & SIMGUI)发展模式,从SOI材料产业化、SOI技术特种应用、More Moore应用和More than Moore应用等四个方面回顾了上海微系统所和新傲公司SOI研发及产业化的历程和相关成果,展望了SOI技术发展前景。

杨根庆在《微小卫星技术及应用》中分析了微小卫星的特点、分类、主要技术及其发展方向,介绍了中科院重大项目创新一号小卫星的研制及其应用试验、创新一号(02)低轨通信小卫星技术及其应用、神舟七号伴飞小卫星技术及飞行试验,对可见光空间科学探测技术、MEMS和微系统技术在微小卫星中的应用进行了论述。

方子韦在《IC制备技术的挑战与创新》中介绍了当今IC制备技术中的挑战与机遇,着重介绍了高性能CMOS器件的制备在结构、材料以及生产设备方面所面临的挑战与创新。通过对各领域发展及现状的分析,展望未来20nm以下IC制备技术的前景。

孔蔚然在《后摩尔定律时代的技术创新与探索》中介绍了等离子体及应力共同作用下的栅氧层损伤,LDMOS电子漂移速率的准饱和模型,一种新型NOR闪存器件和基于SOI技术的光电器件,并结合中科院上海微系统与宏力公司联合培养博士生的探索,提出了新形势下产学研合作的新模式。
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