简　  介：蚀刻技术主要对各种薄膜以及体硅进行加工，通常有湿法腐蚀工艺和干法刻蚀工艺，薄膜的湿法腐蚀技术对衬底具有高的选择比，一般是各向同性的腐蚀方式，硅的KOH湿法腐蚀技术是各向异性的。

干法刻蚀主要是STS DRIE提供的硅深刻蚀和Oxford Ion Beam提供的薄膜刻蚀服务。湿法腐蚀技术和干法刻蚀技术针对不同的材料选用不同的设备和配方。

（1）湿法腐蚀

腐蚀材料	配方	温度(°C)	腐蚀速率	腐蚀性质	设备
SiO2	HF：NH4F：H2O	45	320nm/min	各向同性	腐蚀槽
Al	H3PO4	56	3500A/min	各向同性	腐蚀槽
Si	KOH (40%)	40	4.4±0.5um/h	各向异性	腐蚀槽
SiO2	KOH (40%)	40	9.8nm/h	各向同性	腐蚀槽
Si	KOH (40%)	50	9.0±1um/h	各向异性	腐蚀槽
SiO2	KOH (40%)	50	12.6nm/h	各向同性	腐蚀槽
Si	KOH (40%)	60	18.0±1um/h	各向异性	腐蚀槽
SiO2	KOH (40%)	60	33.9nm/h	各向同性	腐蚀槽

处理面数：双面

片数/批 : 25

状　  态：可用

　　　　　　　　　　 腐蚀槽

（2）干法刻蚀

l　 硅深反应离子刻蚀

配方	选择比	腐蚀速率	腐蚀性质	设备	备注
标准	硅：光刻胶（50：1） 硅：氧化硅（150：1）	0.5－2um/min	各向异性	STS DRIE	2um的线条深宽比1：25

处理面数：单面

片数/批 : 1

检　  验：Wyko测量刻蚀深度

状　  态：可用

　　　　　　  STS Multiplex ICP

l　　　  alcatel 601E 设备

介绍： 可以对硅材料进行各向异性的干法刻蚀，具有高深宽比，刻蚀速度快等优点。 加工尺寸 掩膜材料 腐蚀速率 腐蚀效果 深宽比 4寸硅片 正胶、SiO2 最高7um/min 各向异性 可达1：25

l　　　  Ionbeam设备

介绍： 可以对多种薄膜进行干法刻蚀，如Al、Au、Cu、Cr、SiN、SiO2等。 加工尺寸 掩膜材料 腐蚀速率 腐蚀效果 工作气体 ≤4寸硅片 正胶 最高300Å/min 各向异性 Ar

l　　　  等离子灰化系统

介绍： 等离子灰化系统是干法去除硅片上光刻胶的重要设备。它采用氧气离子和胶发生灰化反应，氮气离子来轰击光刻胶。使硅片表面光洁如新。可以用等离子灰化系统清洁即将要刻蚀或者腐蚀的表面，使得刻蚀和腐蚀的效果更佳。