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标题:
氧化工艺

简   介:氧化工艺在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。

处理材料:符合进炉净化标准以及承受处理的温度,衬底材料直径100mm,厚度范围400-1500um。

(1)高温干氧氧化

高温热干氧氧化工艺针对硅片,在高温下通干噪的高纯氧气,在硅片表面生长均匀的二氧化硅薄膜,氧化速率慢,薄膜致密,固定电荷密度少。

条件 温度 厚度 设备

干燥氧气

950-1150ºC 0.1-0.5um 氧化炉

处理面数:双面

片数/批 : 最多48片

检   验:氧化层厚度偏差+/-5%

状   态:可用

氧化炉

(2)高温湿氧氧化

高温湿氧氧化工艺利用氢氧合成水汽氧化硅片,氧化速率比干氧工艺大大提高,可以制备厚二氧化硅薄膜,但氧化层的致密性不如干氧氧化的薄膜。

条件 温度 厚度 设备

氧气、氢气

950-1150ºC 0.1-2um 氧化炉

处理面数:双面

片数/批 : 最多48片

检   验:氧化层厚度偏差+/-5%

状   态:可用

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