简　  介：氧化工艺在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜，用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。

处理材料：符合进炉净化标准以及承受处理的温度，衬底材料直径100mm，厚度范围400-1500um。

（1）高温干氧氧化

高温热干氧氧化工艺针对硅片，在高温下通干噪的高纯氧气，在硅片表面生长均匀的二氧化硅薄膜，氧化速率慢，薄膜致密，固定电荷密度少。

条件	温度	厚度	设备
干燥氧气	950－1150ºC	0.1－0.5um	氧化炉

处理面数：双面

片数/批 : 最多48片

检　  验：氧化层厚度偏差＋/-5％

状　  态：可用

氧化炉

（2）高温湿氧氧化

高温湿氧氧化工艺利用氢氧合成水汽氧化硅片，氧化速率比干氧工艺大大提高，可以制备厚二氧化硅薄膜，但氧化层的致密性不如干氧氧化的薄膜。

条件	温度	厚度	设备
氧气、氢气	950－1150ºC	0.1－2um	氧化炉

处理面数：双面

片数/批 : 最多48片

检　  验：氧化层厚度偏差＋/-5％

状　  态：可用