邮箱登陆 | 网站地图 | 联系我们 | 所长信箱 | English | 中国科学院 | ARP | OA   
      首页 所况简介 新闻中心 科技成果 交流合作 队伍建设 人才教育 党建与文化 科学传播 信息公开
  您现在的位置:首页>科研平台>微系统加工平台>清洗工艺
首 页
清洗工艺
氧化工艺
LPCVD工艺
扩散工艺
光刻工艺
蚀刻工艺
淀积工艺
键合工艺
减薄和抛光
MEMS器件封装
测试仪器
工艺规范
标题:
清洗工艺

简  介:清洗工艺在于去除衬底材料表面的有机物、金属玷污以及非金属玷污,超临界二氧化碳干燥能够去除微小结构中的玷污,同时防止释放的微结构黏附在衬底上。清洗工艺包括标准清洗、去胶清洗、薄膜淀积前清洗、兆声清洗。

处理材料:直径为100mm的硅片、玻璃片以及SOI,厚度范围400-1500um。

(1)标准清洗

采用硫酸和双氧水溶液去除衬底材料上的有机物,氨水和双氧水溶液去除衬底材料上的非金属玷污,盐酸和双氧水溶液去除衬底材料上的金属玷污。

溶液 温度 设备

硫酸:双氧水(80%:20%)

120ºC 清洗槽

氨水:双氧水:水(1:1:5)

75ºC 清洗槽

盐酸:双氧水:水(1:1:7)

75ºC 清洗槽

处理面数:双面

状   态:可用

清洗槽

(2) 去胶清洗

采用硫酸和双氧水溶液去除衬底材料上的光刻胶材料。

溶液 温度 设备

硫酸:双氧水(80%:20%)

120ºC 清洗槽

处理面数:双面

状   态:可用

清洗槽

(3)薄膜淀积前清洗

在薄膜淀积前,在标准清洗后加入稀氢氟酸溶液短时间浸泡,去除裸硅片自然氧化层。

溶液 温度 设备

标准清洗

   

HF:H2O(1:50)

25ºC 腐蚀槽

处理面数:双面

状   态:可用

(4)兆声清洗

键合技术要求衬底材料的表面非常干净,硅片经过标准清洗后,还要用兆声清洗进行处理以增强键合效果。

处理面数:双面

状   态:可用

兆声清洗设备

硅片甩干机

© 中国科学院上海微系统与信息技术研究所版权所有 沪ICP备05005483号
上海市长宁路865号 电话:021-62511070 邮编:200050