简　 介：清洗工艺在于去除衬底材料表面的有机物、金属玷污以及非金属玷污，超临界二氧化碳干燥能够去除微小结构中的玷污，同时防止释放的微结构黏附在衬底上。清洗工艺包括标准清洗、去胶清洗、薄膜淀积前清洗、兆声清洗。

处理材料：直径为100mm的硅片、玻璃片以及SOI，厚度范围400－1500um。

（1）标准清洗

采用硫酸和双氧水溶液去除衬底材料上的有机物，氨水和双氧水溶液去除衬底材料上的非金属玷污，盐酸和双氧水溶液去除衬底材料上的金属玷污。

溶液	温度	设备
硫酸：双氧水（80％：20％）	120ºC	清洗槽
氨水：双氧水：水（1：1：5）	75ºC	清洗槽
盐酸：双氧水：水（1：1：7）	75ºC	清洗槽

处理面数：双面

状　  态：可用

清洗槽

(2) 去胶清洗

采用硫酸和双氧水溶液去除衬底材料上的光刻胶材料。

溶液	温度	设备
硫酸：双氧水（80％：20％）	120ºC	清洗槽

处理面数：双面

状　  态：可用

清洗槽

（3）薄膜淀积前清洗

在薄膜淀积前，在标准清洗后加入稀氢氟酸溶液短时间浸泡，去除裸硅片自然氧化层。

溶液	温度	设备
标准清洗
HF：H2O（1：50）	25ºC	腐蚀槽

处理面数：双面

状　  态：可用

(4)兆声清洗

键合技术要求衬底材料的表面非常干净，硅片经过标准清洗后，还要用兆声清洗进行处理以增强键合效果。

处理面数：双面

状　  态：可用

兆声清洗设备

硅片甩干机