材  料：

·　　　  PYREX7740玻璃

·　　　  酒精

·　　　  丙酮

·　　　  氦气

·　　　  压缩空气

·　　　  氮气

·　　　  氩气

·　　　  硅片

　

设备和工具

·　　　  KARL SUSS键合机

·　　　  SRO 704—065回流炉

·　　　  Discovery—24溅射仪

·　　　  AIT 喷挂电镀系统

·　　　  STS ASE ICP

·　　　  WEST BOND线焊机

·　　　  镊子

　

工艺过程

　

盖板制作工艺:

1）首先，在硅基板上热生长一层1微米左右的二氧化硅层；

2）在二氧化硅层上用Discovery—24溅射仪和AIT 喷挂电镀系统TiW/Au/Ni/Au；

3）在二氧化硅层用光刻法形成TiW/Au/Ni/Au密封环图形，线条宽度可为100到500微米不等；

4）以光刻胶作掩模，用湿法刻蚀出电极引出框，该电极引出框恰好于下面的MEMS芯片的铝电极相对应；

5）去掉光刻胶，用丝网印刷和回流的方法在TiW/Au/Ni/Au的表面上形成10微米的共晶铅锡焊料，形成含有引出框和封环的盖板。

　

阳极键合工艺：

1）首先将含MEMS芯片的硅片和玻璃片置于去离子水中，用兆声清洗机进行清洗，甩干机含MEMS芯片的硅片和玻璃甩干，备用；

2）用光刻机将含MEMS芯片的硅片的背部与玻璃片对准；

3）用KARL SUSS键合机将MEMS芯片的背部与玻璃基板进行阳极键合：加电电压为1200V，键合温度为400℃。

　

封环和电极制作工艺：

1）在MEMS芯片上，用溅射和光刻的方法做出铝电极，铝电极位于封环的外边，并与上盖板的电极引出框相对应。

2）在硅片和铝线的表面上，用CVD沉积一层1.5微米左右的二氧化硅膜，二氧化硅膜用封环与铝电极的绝缘；

3）在二氧化硅膜上光刻出引线孔，露出MEMS芯片的铝电极。

4）在二氧化硅膜上用Discovery—24溅射仪和图形电镀形成TiW/Au/Ni/Au封环，封环尺寸与上盖板相同。

　

密封工艺：

1）将上盖板封环，与下基板的封环对准;

2）将之转移至SRO 704—065回流炉，并在两端施加均匀压力；

3）升温至250℃，保温30分钟，完成焊料键合，形成气密腔体。

　

划片工艺：

用划片机沿电极引出框的外边线进行划片，切成单个的MEMS芯片，铝电极恰好裸露出来，便于封装时的电连接。