简　 介：本工艺主要用于薄膜混合集成电路基板及MCM-D基板的制作，可对陶瓷基板、玻璃基板、硅片、有机介质（PI）及通孔进行金属化，可用于薄膜电阻的制作。

• 设备条件

设备名称：Denton Vacuum Discovery 24

溅射方式：DC/RF sputtering和Co sputtering

靶　  数：4

基板尺寸：6″

基底温度：可达450℃

薄膜均匀性：<5%

• 基板材料：氧化铝、氧化铍、氮化铝、硅、玻璃及有机介质PI

• 膜系材料

电阻	NiCr	50—250Ω/□
	TaN	25—150Ω/□
粘附层	Cr	250—750Å
	Ti	250—750Å
	TiW	250—750Å
阻挡层	Ni	250—40000Å
导电层	Au	2000—40000Å
	Cu	2000—40000Å
	Cu/Ni/Au	<mΩ/□

• 金属化孔尺寸：最小为200μm

• 导带宽度：最小为15μm