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标题:
LPCVD工艺

简   介:LPCVD工艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜,用作微机械结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料,LPCVD工艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀积采用不同的气体。

处理材料:符合进炉净化标准以及承受处理的温度,衬底材料直径100mm,厚度400-1500um。

(1)多晶硅淀积

不可用

(2)氮化硅淀积

不可用

(3)磷硅玻璃

不可用

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