简　  介：LPCVD工艺在衬底表面淀积一层均匀的介质薄膜，用作微机械结构层材料、牺牲层、绝缘层、掩模材料，LPCVD工艺淀积的材料有多晶硅、氮化硅、磷硅玻璃。不同的材料淀积采用不同的气体。

处理材料：符合进炉净化标准以及承受处理的温度，衬底材料直径100mm，厚度400－1500um。

（1）多晶硅淀积

不可用

（2）氮化硅淀积

不可用

（3）磷硅玻璃

不可用