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标题:
扩散工艺

简   介:扩散工艺在硅片表面掺入三价或者五价元素,改变硅片的导电类型和电阻率,在微机械应用中,浓硼自停止腐蚀技术可以制备几个微米厚的薄膜。扩散工艺包括高电阻率硼扩散工艺、低电阻率硼扩散工艺。

处理材料:符合进炉净化标准以及承受处理的温度,衬底材料直径100mm,厚度400-1500um。

(1)高电阻率硼扩散工艺

条件 温度 结深 方块电阻 设备

硼源GS-126

950-1150ºC 0.1-0.5um 100欧姆/方块 扩散炉

处理面数:双面

片数/批 : 最多48片

检   验:方块电阻偏差+/-5%,结深偏差+/-5%

状   态:可用

扩散炉

(2)低电阻率硼扩散工艺

条件 温度 结深 方块电阻 设备

硼源GS-139

950-1150ºC 0.1-0.5um 15欧姆/方块 扩散炉

处理面数:双面

片数/批 : 最多48片

检   验:方块电阻偏差+/-5%,结深+/-5%

状   态:可用

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