简　  介：扩散工艺在硅片表面掺入三价或者五价元素，改变硅片的导电类型和电阻率，在微机械应用中，浓硼自停止腐蚀技术可以制备几个微米厚的薄膜。扩散工艺包括高电阻率硼扩散工艺、低电阻率硼扩散工艺。

处理材料：符合进炉净化标准以及承受处理的温度，衬底材料直径100mm，厚度400-1500um。

（1）高电阻率硼扩散工艺

条件	温度	结深	方块电阻	设备
硼源GS－126	950－1150ºC	0.1－0.5um	100欧姆/方块	扩散炉

处理面数：双面

片数/批 : 最多48片

检　  验：方块电阻偏差+/-5%，结深偏差+/-5％

状　  态：可用

扩散炉

（2）低电阻率硼扩散工艺

条件	温度	结深	方块电阻	设备
硼源GS－139	950－1150ºC	0.1－0.5um	15欧姆/方块	扩散炉

处理面数：双面

片数/批 : 最多48片

检　  验：方块电阻偏差+/-5%,结深+/-5％

状　  态：可用