材料：N型（100）4英寸硅片，双面或单面抛光，电阻率：0.5-8Wcm, 厚度：400-500微米

步骤一：进炉前标准清洗；

步骤二：标准氧化；

步骤三：标准光刻1和标准氧化层腐蚀形成压阻硼掺杂电阻图形；

步骤四：标准淡硼预扩散或离子注入，在经过标准再分布或退火形成方块电阻率在80-250W可控的压阻，节深在1-3微米可控；

步骤五：标准光刻2和标准氧化层腐蚀形成欧姆接触图形；

步骤六：标准浓硼预扩散或离子注入，在经过标准再分布或退火形成方块电阻率在10-40W可控的电接触区，节深在0. 5-2微米可控；

步骤七：标准光刻3和标准氧化层腐蚀形成电接触孔；

步骤八：标准蒸发或溅射铝薄膜，厚度在0.3-1微米；

步骤九：标准光刻4和标准铝腐蚀形成互连，然后标准合金化；

步骤十：标准LPCVD生长LTO钝化层，厚度在1微米左右。并标准光刻5和氧化层Pad腐蚀露出焊盘图形；

步骤十一：标准光刻6和标准氧化层腐蚀形成正面微机械图形；

步骤十二：标准ICP深刻蚀形成正面微机械结构；

步骤十三：背面ICP深刻蚀形成背面微机械结构，同时微结构释放；

步骤十四：标准湿法或干法去胶，标准清洁后形成圆片产品；

步骤十五：标准硅-玻璃静电键合或盖板粘接，实施标准划片工艺；

注：

1：在形成正面和背面微机械结构时，根据具体情况可以用ICP深刻蚀工艺组合，也可以采用一面深刻蚀、另一面湿法标准各向异性腐蚀，或者全部采用标准各向异性腐蚀来形成。

2：可以根据需求在芯片加工的基础上进行基座粘接、焊线和压帽等后续封装工艺。

3：可以根据需求进行片上电测试和器件级性能测试。

4：该工艺适合各种敏感种类的MEMS压阻传感器。