序号

工艺名称

工艺要求

备注

1

选取N型（100）双抛硅片

硅片厚度450um

2

标准清洗

3

氧化

厚度0.5um

4

光刻

5

腐蚀氧化硅

6

腐蚀硅

7

清洗硅片

重复步骤2

8

腐蚀背面SiO2

硅片正面SiO₂用胶保护

9

选取Pyrex7740玻璃片

10

清洗玻璃片

重复步骤2

11

玻璃片蒸铝

 厚度1um

玻璃片正面蒸铝

12

光刻

（2＃版）

13

14

键合

硅片背面和玻璃正面进行静电键合

15

光刻Si片正面SiO2

16

清洗键合片

重复步骤2

17

硅片正面蒸铝

厚度1um

18

光刻Al

重复步骤11

（4＃版）

19

腐蚀Al

硅片正面光刻

18

DRIE

至结构释放

19

等离子体去胶

20

分片