简　  介：光刻工艺是微机械技术里用得最频繁，最关键得技术之一，光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式，根据光刻面数的不同有单面对准光刻和双面对准光刻，根据光刻胶类型不同，有薄胶光刻和厚胶光刻。一般的光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘，可以根据实际情况调整流程中的操作。目前提供单面接触式对准光刻、双面接触式对准光刻服务。

处理材料：衬底材料直径100mm，厚度400－5000um。

（1）单面接触式对准光刻

光刻胶类型	光刻胶厚度	最小线宽	套准精度	设备
Shipley 6112	0.5-2.0um	1.5um	1.5um	Karl Suss MA6
Shipley 1813	0.5-1.8um	1.5um	1.5um	Karl Suss MA6
Shipley 1818	1.0-3.0um	2.0um	1.5um	Karl Suss MA6
Shipley AZ4620	4.0-10.0um	3.5um	2.0um	Karl Suss MA6

片数/批 : 1

检　  验：胶厚度偏差＋/-5％，根据测量图形测试最小线宽

状　  态：可用

涂胶机

自动涂胶机

烘胶热板

　微波去胶机

KarlSuss MA6 光刻机

（2）双面接触式对准光刻

双面接触式对准光刻同样适用于上述的四种光刻胶，套准精度比单面套准的低。

光刻胶类型	光刻胶厚度	最小线宽	套准精度	设备
Shipley 6112	0.5-2.0um	1.5um	3.0um	Karl Suss MA6
Shipley 1813	0.5-1.8um	1.5um	3.5um	Karl Suss MA6
Shipley 1818	1.0-3.0um	2.0um	3.0um	Karl Suss MA6
Shipley AZ4620	4.0-10.0um	3.5um	4.0um	Karl Suss MA6

　

（3）喷胶工具

喷胶设备 　  介绍： 　  可以对硅片表面的三维结构进行喷胶工艺，并全面覆盖三维结构表面，能很好地保护结构表面和侧壁，同时胶厚可达十微米左右。