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标题:
光刻工艺

简   介:光刻工艺是微机械技术里用得最频繁,最关键得技术之一,光刻工艺将掩膜图形转移到衬底表面的光刻胶图形上,根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式,根据光刻面数的不同有单面对准光刻和双面对准光刻,根据光刻胶类型不同,有薄胶光刻和厚胶光刻。一般的光刻流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘,可以根据实际情况调整流程中的操作。目前提供单面接触式对准光刻、双面接触式对准光刻服务。

处理材料:衬底材料直径100mm,厚度400-5000um。

(1)单面接触式对准光刻

光刻胶类型 光刻胶厚度 最小线宽 套准精度 设备
Shipley 6112 0.5-2.0um 1.5um 1.5um Karl Suss MA6
Shipley 1813 0.5-1.8um 1.5um 1.5um Karl Suss MA6
Shipley 1818 1.0-3.0um 2.0um 1.5um Karl Suss MA6
Shipley AZ4620 4.0-10.0um 3.5um 2.0um Karl Suss MA6
         

片数/批 : 1

检   验:胶厚度偏差+/-5%,根据测量图形测试最小线宽

状   态:可用

涂胶机

自动涂胶机

烘胶热板

 微波去胶机

KarlSuss MA6 光刻机

(2)双面接触式对准光刻

双面接触式对准光刻同样适用于上述的四种光刻胶,套准精度比单面套准的低。

光刻胶类型 光刻胶厚度 最小线宽 套准精度 设备
Shipley 6112 0.5-2.0um 1.5um 3.0um Karl Suss MA6
Shipley 1813 0.5-1.8um 1.5um 3.5um Karl Suss MA6
Shipley 1818 1.0-3.0um 2.0um 3.0um Karl Suss MA6
Shipley AZ4620 4.0-10.0um 3.5um 4.0um Karl Suss MA6
         

 

(3)喷胶工具

喷胶设备

   介绍:

   可以对硅片表面的三维结构进行喷胶工艺,并全面覆盖三维结构表面,能很好地保护结构表面和侧壁,同时胶厚可达十微米左右。

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