简 介：真空热蒸发金属膜系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由钨丝加热钨蓝中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。我们的真空热蒸发金属膜系统采用扩散泵抽真空，其它设备情况如下：

蒸发室直径：φ300mm，可一次放置一片直径为50mm的基片；

蒸发电极： ~200A加热电流（4组）；

基片加热： 可进行~200℃基片加热；

极限真空度：≤5×10-6托；

蒸发厚度：采用监控薄膜电阻的方式控制蒸发膜厚；

可蒸发金属膜Al,Au,Ag,Cr,AuZn,NiCr,AuGeNi等；

膜厚度误差 ≤±10%，膜厚均匀性误差 ≤±10% 。

 

　　 常规提供的蒸发金属膜的服务如下：

薄膜材料	厚度	厚度误差	均匀性误差
Al	~ 5000Å	<±10%	<±10%
Ti	~ 1000Å	<±10%	<±10%
Au	~ 2000Å	<±10%	<±10%
AuGeNi	~ 5000Å	<±10%	<±10%
NiCr	~ 3000Å	<±10%	<±10%

　

真空热蒸发金属膜系统