简 介：湿法腐蚀工艺技术是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在具有高选择比掩蔽膜的保护下对介质膜或半导体材料进行腐蚀而得到所需图案的技术。湿法腐蚀具有各向同性腐蚀与各向异性腐蚀之分，还有选择性腐蚀与非选择性腐蚀之分。我们的湿法腐蚀工艺主要针对InP、GaAs基化合物半导体材料及SiO2的腐蚀。
（1） InP基材料的湿法腐蚀
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腐蚀材料 |
腐蚀液组成 |
腐蚀液比例 |
温度(°C) |
腐蚀速率 |
|
InP |
HCl:H3PO4:CH3COOH |
1 : 1 : 2 |
25 |
300nm/min |
|
InP |
Saturated Br2 water:H3PO4:H2O |
2 : 1 : 15 |
25 |
360nm/min |
|
InP |
HCl:H3PO4 |
1 : 3 |
20 |
750nm/min |
|
InP |
HCl:H3PO4 |
1 : 3 |
23 |
1050nm/min |
|
InP |
HBr:H3PO4:K2Cr2O7 |
2 : 2 : 1 |
25 |
1500nm/min |
|
InP |
HCl:H3PO4 |
1 : 1 |
20 |
2000nm/min |
|
InGaAs |
Saturated Br2 water:H3PO4:H2O |
2 : 1 : 15 |
25 |
280nm/min |
|
InGaAs |
H2SO4:H2O2:H2O |
1 : 1 : 10 |
25 |
900nm/min |
|
InGaAsP |
H2SO4:H2O2:H2O |
3 : 1 : 1 |
20 |
700nm/min |
|
InGaAsP |
HBr:H3PO4:K2Cr2O7 |
2 : 2 : 1 |
25 |
1500nm/min |
（2） GaAs基材料的湿法腐蚀
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腐蚀材料 |
腐蚀液组成 |
腐蚀液比例 |
温度(°C) |
腐蚀速率 |
|
GaAs |
HCl:HIO3:H2O |
1 : 1 : x (5 < x < 100) |
25 |
30 ~ 250nm/min |
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GaAs |
NH4OH:H2O2:H2O |
2 : 1 : 20 |
20 |
500nm/min |
|
GaAs |
H2SO4:H2O2:H2O |
5 : 1 : 1 |
20 |
1400nm/min |
|
GaAs |
NH4OH:H2O2:H2O |
1 : 4 : 20 |
25 |
1800nm/min |
|
AlGaAs |
NH4OH:H2O2:H2O |
3 : 1 : 130 |
25 |
300nm/min |
|
AlGaAs |
Citric acid:H2O2:H2O |
4 : 1 : 1 |
25 |
400nm/min |
|
In0.5Ga0.5P |
H3PO4:HCl:H2O |
1 : 1 : 1 |
25 |
90nm/min |
|
AlGaInP |
HCl:HIO3:H2O |
1 : 1 : x (5 < x < 100) |
25 |
30 ~ 250nm /min |
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（3） SiO2的湿法腐蚀
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腐蚀材料 |
腐蚀液组成 |
腐蚀液比例 |
温度(°C) |
腐蚀速率 |
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SiO2 |
HF：NH4F：H2O |
3ml ：6g ：10ml |
22 |
120nm/min |
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SiO2 |
HF：NH4F：H2O |
3ml ：6g ：10ml |
45 |
320nm/min |
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