简  介：快速合金工艺是化合物半导体器件制作中获得低欧姆接触电阻的关键工艺技术；快速合金是将基片置于氮气N2或氢气H2气氛保护下，通过对基片进行快速加热（一般10秒左右达到合金温度），使用于制作欧姆接触的金属与半导体达到快速合金，合金后使基片快速降温（一般15秒左右降温到150℃），得到理想的欧姆接触电阻。

KST-2快速合金炉一次可合金一片直径为100mm的基片；

合金时采用氮气N2保护；

合金温度：150℃ ~ 800℃；

合金时间可分六段设定。

 

 

 

 KST-2快速合金炉