简 介：PECVD介质膜淀积系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下通入一定量的生长气体，在射频功率源作用下形成等离子体，然后在加热的基片上气相成核，在所需的基片上淀积出介质膜。PECVD介质膜淀积系统采用机械泵和增压泵两级抽真空系统，其它设备情况如下：

淀积室直径：φ300mm，可一次放置6片直径为50mm的基片；

射频电源：100KHz射频 (1000瓦)、13.5MHz射频（1000瓦）电源各一套；

基片加热： 可进行~250℃基片加热；

可淀积介质膜：SiO2、SiC、Si3N4等；

膜厚度误差 ≤±5%，膜厚均匀性误差 ≤±5% 。

 

　　 常规提供的淀积介质膜的服务如下：

薄膜材料	淀积气体	淀积速率	厚 度	厚度误差	均匀性误差
SiO2	SiH4/N2O	~3Å/s	~15000Å	<±10%	<±5%
Si3N4	SiH4/NH3	~2Å/s	~10000Å	<±10%	<±5%
SiC	SiH4/CH4	~2Å/s	~2000Å	<±10%	<±5%

 

 PECVD介质膜淀积系统