简  介：干法刻蚀掩蔽介质膜的是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在真空状态下通入一定量的反应气体，在射频电场作用下形成等离子体对半导体材料掩蔽介质膜进行刻蚀，得到所需要的掩蔽外形结构。我们所使用的刻蚀设备为磁增强RIE等离子刻蚀机；真空系统采用机械泵和增压泵两级抽真空系统，其它设备情况如下：

刻蚀室直径：φ300mm，可一次放置一片直径为100mm的基片；

射频电源：20-1000瓦可调1台

气路系统：两套数字显示质量流量计可控制4路气体；

可通CF4气: 用于刻蚀SiO2、Si3N4等；

可通SF6气: 用于刻蚀金属钨W、半导体Si等；

刻蚀深度误差 ≤±10%，刻蚀均匀性误差 ≤±5% 。

 

常规提供的反应离子刻蚀介质膜的服务如下：

 

　　　　　　 反应离子刻蚀掩蔽介质膜系统