简  介：半导体材料的干法刻蚀是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在真空状态下通入一定量的反应气体，在射频电场作用下形成等离子体对半导体材料进行刻蚀，得到所需要的器件外形结构。我们所使用的刻蚀设备为ICP高密度等离子刻蚀机，具有进片室和刻蚀室双室结构；真空系统采用分子泵抽真空，其它设备情况如下：

刻蚀室直径：φ300mm，可一次放置一片直径为75mm的基片；

射频电源：20-1000瓦可调1台

偏压电源：10- 500瓦可调1台；

气路系统：4路数字显示质量流量计（包括2路清洗气体入口）和阀门；

可通Cl2气: 用于刻蚀InP、GaAs、GaSb、GaN及它们的化合物等；

刻蚀深厚度误差 ≤±10%，刻蚀均匀性误差 ≤±5% 。

 

常规提供的ICP刻蚀半导体材料的服务如下：

刻蚀材料	气 体	刻蚀速率	厚度误差	均匀性误差
GaAs	Cl2/Ar	~400Å/s	<±10%	<±5%
GaAlAs	Cl2/Ar	~300Å/s	<±10%	<±5%
InGaAs	Cl2/Ar	~300Å/s	<±10%	<±5%
InGaAsP	Cl2/Ar	~300Å/s	<±10%	<±5%
InP	Cl2/Ar	~250Å/s	<±10%	<±5%
GaSb	BCl3/Ar	~200Å/s	<±10%	<±5%

 

 

　　　　　　 ICP高密度等离子刻蚀膜系统