简 介：磁控溅射金属膜系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由Ar离子轰击金属靶，使金属靶中的原子溅射到所需基片上形成金属膜。磁控溅射金属膜系统采用分子泵抽真空，其它设备情况如下：

溅射室直径：φ500mm，可一次放置四片直径为75mm的基片；

溅射电源：直流(1000瓦)、射频（1000瓦）电源各一套；

极限真空度：≤5×10-4 Pa；

基片加热： 可进行~200℃基片加热；

基片旋转：载片台可行星式旋转或往复移动；

可溅射金属膜：Ti, Pt, Au；

膜厚度误差 ≤±5%，膜厚均匀性误差 ≤±5% 。

 

　　 常规提供的溅射金属膜的服务如下：

薄膜材料	溅射速率	厚度	厚度误差	均匀性误差
Ti	35Å/min	~ 500Å	<±5%	<±5%
Pt	90Å/min	~ 1000Å	<±5%	<±5%
Au	180Å/min	~ 2000Å	<±5%	<±5%

　　 

磁控溅射金属膜系统