简　介：光刻工艺是是化合物半导体器件制作中最常用的工艺，也是最关键的工艺之一；它是将掩膜版上的图形转移到衬底表面的光刻胶图形上，一般的光刻工艺流程包括前处理、匀胶、前烘、对准曝光、显影、后烘，可以根据实际情况调整流程中的操作。根据曝光方式可分为接触式、接近式和投影式，根据光刻面数的不同有单面对准光刻和双面对准光刻，根据光刻胶类型不同，有薄胶光刻和厚胶光刻。

本器件工艺平台拥有两台德国Karlsuss MJB3光刻机，这两台光刻机在洁净度为100级的环境下分别可光刻出0.6μm和0.8μm线条的图案；我们一台光刻机主要用于单面对准光刻，另一台光刻机主要用于套刻和双面对准光刻。

 

　  常规提供的正胶光刻工艺：

光刻胶类型	光刻胶厚度	最小线宽	套准精度	设备
Shipley 6809	0.6-1.2um	1.5um	2um	Karl Suss MJB3
Shipley 1813	1.0-1.6um	1.5um	2um	Karl Suss MJB3

 

 

德国Karlsuss MJB3光刻机