离子注入机

  

  

  

  生产厂商:日新 

  型号:NISSIN 2300RD 

  仪器性能指标 

  注入能量范围:5KeV~200KeV 

  注入均匀性:≤0.5% 

  注入元素种类:B PHHeArGeSi,  AsC 

  注入能量偏差:≤0.5% 

  离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备.