高密度等离子刻蚀系统

  

  

    生产厂商:日本真空 

  型号: NE-550H 

  仪器性能指标: 

  进样室配备了德国阿尔卡特前级泵 

  进样室极限真空:10Pa 

  反应腔配备了日本Shimadzu分子泵和日本真空干泵 

  反应腔极限真空:1X10-3Pa 

  13.56MHz,1000W的射频电源 

  刻蚀速率精度:±3% 

  刻蚀深度偏差:<±4%  

  深宽比:至少51 

  刻蚀选择性(针对PR):Si3N41.5~31SiO22.51W0.51  

  均匀性:<±5%8英寸) 

  气路:Cl2BCL3CF4CHF3SF6ArO2 

  样品尺寸:8英寸(标准) 

  高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤。主要针对行业:LED半导体照明、闪存、生物芯片,微流体器件、光子晶体、传感器,微机电系统。主要刻蚀的材料包括:各种氧化物、Si、TiN和金属等.