V90分子束外延设备

  

 

  V90分子束外延设备购于2002年,为国际少有的气态源分子束外延设备,可方便地实现GaAsInPGe衬底上磷化物、砷化物等多种III-V族材料的外延生长,最大可同时生长14英寸材料或32英寸材料,所生长的晶格匹配材料3英寸范围浓度、厚度、掺杂非均匀性≤1%,样品架最高加热温度800ºC,设备承担了短波红外探测材料、量子点激光器材料、异质结双极型晶体管材料、THz激光与探测材料等相关的多个重要项目。设备由专门人员操作、专门人员维护,由负责人安排机时分配,在保证科研任务完成的前提下开展对外合作研究。