DCA P600 and 450 双腔室分子束外延设备

  

 

  主要性能参数 

  晶圆尺寸:1x4” or 3x2” 

  生长室真空度:≤ 5e-11 Torr 

  最高生长温度:1200 ºCgroup-IV chamber 

  厚度均匀性:≤ 1.5%  

  组分均匀性:≤ 1.5%  

  掺杂均匀性:≤ 2% 

  源材料:IV: Si, Ge, SnIII-V: Al, Ga, In; N, As, Sb, Bi 

  掺杂(Dopants: Be, Si, GaTe 

  分子束外延生长原理和特点 

  亚原子层精度厚度和界面控制;超高纯度;外延生长实时在线监控。 

  DCAP600/450是结合世界一流真空和源炉技术的固态源分子束外延设备,具有两个独立的生长室、样品自动传输和真空内更换样品托等功能,可以外延生长一片4英寸或三片2英寸高质量III-V族、IV族以及III-V族与IV族单片集成半导体异质结和纳米结构材料和器件,避免III-V族与IV族材料的交叉污染,满足科研和小批量生产的双重需求。