2019年专利
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序号 |
授权/受理号 |
专利名称 |
发明人 |
状态 |
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1 |
CN104750922B |
SOI四端口网络及其模型拓扑结构 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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2 |
CN106276873B |
一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法 |
狄增峰,马骏,张苗,薛忠营,贾鹏飞,汪子文,王刚,王曦 |
授权 |
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3 |
CN106328502B |
SiGeSn材料及其制备方法 |
张波,孟骁然,俞文杰,狄增峰,张苗 |
授权 |
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4 |
CN105489608B |
一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
授权 |
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5 |
CN106904600B |
一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法 |
狄增峰,汪子文,戴家赟,王刚,郑晓虎,薛忠营,张苗,王曦 |
授权 |
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6 |
CN106904599B |
一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法 |
狄增峰,汪子文,戴家赟,王刚,郑晓虎,薛忠营,张苗,王曦 |
授权 |
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7 |
CN107359221B |
一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法 |
郑理,程新红,宁志军,徐大伟,沈玲燕,王谦,张栋梁,顾子悦,俞跃辉 |
授权 |
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8 |
CN105740555B |
一种单粒子瞬态脉冲电流源的建模方法 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
授权 |
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9 |
CN106209003B |
利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 |
欧欣,黄凯,贾棋,张师斌,游天桂,王曦 |
授权 |
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10 |
CN105675984B |
一种脉冲波形测试电路 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
授权 |
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11 |
CN105675985B |
一种脉冲波形测试方法 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
授权 |
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12 |
CN105914445B |
基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法 |
俞文杰,费璐,刘强,刘畅,文娇,王翼泽,王曦 |
授权 |
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13 |
CN105810694B |
用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法 |
俞文杰,费璐,刘强,刘畅,文娇,王翼泽,王曦 |
授权 |
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14 |
CN105866983B |
锗银复合材料及其在光电器件中的应用 |
李伟,狄增峰,齐功民,张苗,母志强,王曦 |
授权 |
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15 |
CN107045073B |
单硅片双面对称折叠梁结构微加速度传感器及其制作方法 |
李伟,周晓峰,车录锋 |
授权 |
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16 |
CN105652371B |
偏振分束器 |
汪敬,甘甫烷,盛振,武爱民,仇超,王曦,邹世昌 |
授权 |
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17 |
CN105895702B |
N型动态阈值晶体管,制备方法及提高工作电压的方法 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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18 |
CN105895703B |
N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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19 |
CN105742366B |
N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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20 |
CN105845733B |
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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21 |
CN105845734B |
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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22 |
CN105870186B |
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法 |
陈静,吕凯,罗杰馨,柴展,何伟伟,黄建强,王曦 |
授权 |
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23 |
CN209433059U |
温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 |
仇超,赵瑛璇,甘甫烷,武爱民,盛振,李伟, |
授权 |
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24 |
CN209434220U |
单光子源器件及量子存储器 |
李杨,陶略,张加祥,甘甫烷 |
授权 |
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25 |
CN106711019B |
利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属-半导体合金的方法 |
张波,孟骁然,俞文杰,狄增峰,张苗 |
授权 |
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26 |
CN107527803B |
SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法 |
程新红,王谦,郑理,沈玲燕,张栋梁,顾子悦,钱茹,俞跃辉 |
授权 |
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27 |
CN107910400B |
一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法 |
欧欣,尤立星,贾棋,张伟君 |
授权 |
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28 |
PCT/CN2019/070284 |
温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 |
仇超,赵瑛璇,甘甫烷,武爱民,盛振,李伟, |
实审 |
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29 |
PCTCN2019070516 |
激光器与硅光芯片集成结构 |
蔡艳,余明斌 |
实审 |
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30 |
201910026972.0 |
图形化结构的SOI衬底的制备方法 |
刘强,俞文杰, 任青华, 陈治西, 刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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31 |
201910027050.1 |
图形化结构的SOI衬底的制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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32 |
201910027528.0 |
图形化结构的SOI衬底及其制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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33 |
201910026963.1 |
三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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34 |
201910027040.8 |
三维堆叠的环栅晶体管及其制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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35 |
201910027051.6 |
环栅晶体管的制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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36 |
201910027054.X |
基于图形化SOI衬底的半导体纳米线结构及其制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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37 |
201910027361.8 |
三维堆叠的环栅晶体管的制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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38 |
201910027365.6 |
多通道环栅晶体管 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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39 |
201910027378.3 |
环栅晶体管及其制备方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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40 |
201910099321.4 |
无源滤波器及其制备方法 |
狄增峰,韩晓雯,高敏,吴宇峰,胡涛, |
实审 |
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41 |
201910129446.7 |
二维材料生长的定位观测方法 |
狄增峰,李攀林,王天波,薛忠营,张苗, |
实审 |
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42 |
201910129433.X |
异质结构的制备方法 |
欧欣,欧欣,黄凯,赵晓蒙,李文琴,鄢有泉,李忠旭,王曦, |
实审 |
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43 |
201910130002.5 |
石墨烯纳米带的转移方法 |
张苗,王雅斓,李攀林,狄增峰,薛忠营, |
实审 |
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44 |
201910129693.7 |
晶圆级石墨烯薄膜的转移方法 |
张苗,李攀林,刘运启,王天波,薛忠营,狄增峰, |
实审 |
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45 |
201910142121.2 |
单光子源器件、制备方法及量子存储器 |
李杨,陶略,张加祥,甘甫烷, |
实审 |
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46 |
201910160336.7 |
柔性光刻胶软模板及其制备方法 |
狄增峰,韩晓雯,高敏,王雅澜,吴宇峰,胡涛, |
实审 |
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47 |
201910208837.8 |
一种二维材料层及制备方法 |
张苗,陈玉龙,狄增峰,薛忠营,贾鹏飞, |
实审 |
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48 |
201910211777.5 |
基于功率器件寄生电感的电流检测系统及电流检测方法 |
徐大伟,朱弘月,程新红,李新昌 |
实审 |
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49 |
201910239157.2 |
基于图形化SOI衬底的抗辐照晶体管及其制作方法 |
刘强,俞文杰,任青华,陈治西,刘晨鹤,赵兰天,陈玲丽,王曦, |
实审 |
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50 |
PCT/CN2019/080800 |
一种Si基衬底异质集成石墨烯的制备方法 |
欧欣,欧欣,伊艾伦,林家杰,张师斌,于庆凯,谢晓明, |
实审 |
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51 |
201910340421.1 |
一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质材料集成结构 |
黄亚敏,董业民 |
实审 |
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52 |
201910339548.1 |
一种集成结构的制备方法以及由此得到的铜互连线与介质层集成结构 |
黄亚敏,董业民 |
实审 |
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53 |
201910339551.3 |
一种超薄TEM样品的原位制备方法以及由此得到的超薄TEM薄膜 |
黄亚敏,董业民,王秀芳 |
实审 |
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54 |
201910339547.1 |
一种用于Nanoprobe-FIB-TEM失效分析的多用途样品座及其应用 |
黄亚敏,黄亚敏,董业明,王秀芳 |
实审 |
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55 |
201910426799.3 |
改进的汉明码纠错方法 |
乔冰涛,吴旭凡,董业民 |
实审 |
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56 |
201910470048.1 |
一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法 |
欧欣,伊艾伦,武震宇, |
实审 |
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57 |
201910471852.1 |
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体异质键合结构的制备方法 |
欧欣,林家杰,金婷婷,游天桂,王羲, |
实审 |
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58 |
201910488313.9 |
一种柔性SOI器件结构及其制备方法 |
常永伟,董业民,刘艳 |
实审 |
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59 |
201910537310.X |
含氧单晶薄膜的制备方法 |
黄凯,欧欣,赵晓蒙,李文琴,李忠旭,鄢有泉, |
实审 |
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60 |
201910558206.9 |
同步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路 |
张振伟,董业民,单毅 |
实审 |
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61 |
201910558207.3 |
异步时钟ADC电路的亚稳态的检测消除电路 |
张振伟,董业民,单毅 |
实审 |
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62 |
201910576571.2 |
一种高频声表面波谐振器及其制备方法 |
欧欣,张师斌,周鸿燕,王成立,郑鹏程,黄凯, |
实审 |
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63 |
201910612095.5 |
一种光波导结构及其制造方法 |
涂芝娟,汪巍,余明斌 |
实审 |
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64 |
201921056964.2 |
一种波导型光电探测器 |
涂芝娟,汪巍,余明斌 |
实审 |
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65 |
201910618491.9 |
存储器及加固待存储数据的方法 |
乔冰涛,吴旭凡,董业民 |
实审 |
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66 |
201910629209.7 |
一种驱动电路、驱动方法及微反射镜阵列 |
徐大伟,董业民,林联科,夏亦斐,全宇华 |
实审 |
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67 |
201910634642.X |
一种基于SOI衬底的电容隔离结构及其制备方法 |
徐大伟,程新红,刘天天,黄晓义 |
实审 |
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68 |
201910634838.9 |
一种基准电压温度系数修调方法、装置及终端 |
徐大伟,程新红,徐超,李新昌 |
实审 |
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69 |
201910650593.9 |
一种对角线型双向SCR结构的ESD保护器件 |
周墨,董业民,单毅,张振伟 |
实审 |
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70 |
201910650174.5 |
一种具有双向SCR结构的ESD保护器件 |
周墨,董业民,单毅,张振伟 |
实审 |
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71 |
201910672410.3 |
全耗尽绝缘体上硅的背栅电压偏置电路 |
陈静,葛浩,田明,商干兵,卢剑萍 |
实审 |
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72 |
201910687436.1 |
逐步逼近型模数转换装置的电容阵列校准方法和装置 |
张振伟,邱雷,董业民,单毅 |
实审 |
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73 |
201910690187.5 |
基于SOI衬底的热光相移器的制备方法 |
蔡艳,俞文杰,王书晓,刘强,余明斌 |
实审 |
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74 |
201910689392.X |
光波导器件及其制备方法 |
蔡艳,俞文杰,王书晓,刘强,余明斌 |
实审 |
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75 |
201910691004.1 |
PMOS触发的SCR器件、SCR器件的制造方法及SCR静电保护电路 |
周墨,单毅,董业民,张振伟 |
实审 |
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76 |
201910712286.9 |
基于交替偏置的高可靠接口电路及方法 |
吴旭凡,乔冰涛,龚正辉,董业民 |
实审 |
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77 |
201910722077.2 |
一种基于SOI工艺的静电放电保护结构 |
单毅,董业民,陈晓杰 |
实审 |
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78 |
201910734707.8 |
高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 |
李卫民,俞文杰,朱雷,王轶滢, |
实审 |
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79 |
201910743314.3 |
一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路 |
单毅,董业民,陈晓杰 |
实审 |
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80 |
201910759403.7 |
高通量气相沉积设备及气相沉积方法 |
李卫民,俞文杰,朱雷,王轶滢, |
实审 |
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81 |
201910773025.8 |
一种静电保护结构及静电保护电路 |
单毅,董业民,陈晓杰 |
实审 |
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82 |
201910773021.X |
一种静电保护结构及静电保护电路 |
单毅,董业民,陈晓杰 |
实审 |
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83 |
201910828397.6 |
衬底上薄膜的制备方法 |
欧欣,李忠旭,黄凯,赵晓蒙,李文琴,陈阳,聂峥, |
实审 |
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84 |
201910876649.2 |
高频声波谐振器及其制备方法 |
欧欣,周鸿燕,张师斌,李忠旭,黄凯,赵晓蒙, |
实审 |
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85 |
201910925098.4 |
高频声波谐振器及其制备方法 |
欧欣,王成立,张师斌,周鸿燕,黄凯, |
实审 |
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86 |
201911000927.4 |
一种柔性电子器件及其制备方法 |
常永伟,董业民,吕凯 |
实审 |
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87 |
201911012066.1 |
半导体电路与超导电路单片集成的复合芯片及其制作方法 |
陈晓杰,董业民,单毅,刘艳,龚正辉 |
实审 |
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88 |
2019110818847.0 |
一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用 |
欧欣,李忠旭,黄凯,陈阳,赵晓蒙,鄢有泉, |
实审 |
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89 |
201911128957.3 |
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
吕凯,董业民 |
实审 |
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90 |
201911214247.2 |
一种双层绝缘体上晶体管结构及其制备技术 |
吕凯,董业民 |
实审 |
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91 |
PCT/CN2019/119931 |
高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 |
欧欣,李忠旭,黄凯,陈阳,赵晓蒙,鄢有泉, |
实审 |
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92 |
201911174463.9 |
氧化镓半导体结构垂直型氧化镓基功率器件及制备方法 |
欧欣,徐文慧,游天桂,沈正皓, |
实审 |
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93 |
201911175985.0 |
氧化镓半导体结构MOSFET器件及制备方法 |
欧欣,徐文慧,游天桂,沈正皓, |
实审 |
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94 |
201911174467.7 |
氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法 |
欧欣,徐文慧,游天桂,沈正皓, |
实审 |
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95 |
201922172247.2 |
晶圆键合装置 |
欧欣,李忠旭,赵晓蒙,陈阳,黄凯, |
实审 |
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96 |
201922170818.9 |
一种制备晶圆级异质集成衬底的设备 |
欧欣,李忠旭,赵晓蒙,陈阳,黄凯, |
实审 |
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97 |
201911243984.5 |
三维集成层间光互联结构及形成方法 |
欧欣,李忠旭,黄凯,陈阳,赵晓蒙,鄢有泉, |
实审 |
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98 |
PCT/CN2019/119929 |
高通量气相沉积设备及气相沉积方法 |
欧欣,李忠旭,黄凯,陈阳,赵晓蒙,鄢有泉, |
实审 |
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99 |
PCT/CN2019/070515 |
一种硅基单片红外像素传感器 |
汪巍,方青,涂芝娟,曾友宏,蔡艳,王庆,王书晓,余明斌 |
实审 |
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100 |
PCT/CN2019/070518 |
一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管 |
汪巍,方青,涂芝娟,曾友宏,蔡艳,王庆,王书晓,余明斌 |
实审 |
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101 |
PCT/CN2019/070517 |
相移器及硅基电光调制器 |
涂芝娟,汪巍,方青,余明斌 |
实审 |
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102 |
PCT/CN2019/070516 |
激光器与硅光芯片集成结构 |
蔡艳,余明斌 |
实审 |
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103 |
108140780 |
一種晶棒切片裝置 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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104 |
108140779 |
一種晶棒切片方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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105 |
108140778 |
一種晶棒切片裝置 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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106 |
108140777 |
一種晶棒切片裝置 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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107 |
108140776 |
一種晶棒切片裝置和方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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108 |
108140935 |
一種晶圓測試裝置和方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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109 |
201910362435.3 |
一种半导体晶体生长装置和方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
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110 |
201910899811.2 |
一种硅单晶的生长方法 |
王刚,沈伟民,黄瀚艺,陈伟德 |
实审 |