序号 

授权/受理号 

专利名称 

发明人 

状态 

1 

CN206849844U 

硅基Ge光探测器阵列 

仇超, 武爱民, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 赵颖璇, 李军 

授权 

2 

CN206848526U 

硅基WDM光收发模块 

仇超, 虞婷婷, 武爱民, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 赵颖璇, 李军 

授权 

3 

CN104716191B 

双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法 

陈静, 杨燕, 罗杰馨, 柴展 

授权 

4 

CN206931836U 

硅基单片集成激光器 

仇超, 龚谦, 武爱民, 高腾, 盛振, 甘甫烷, 赵颖璇, 李军 

授权 

5 

CN104934294B 

一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法 

狄增峰, 孙高迪, 陈达, 郭庆磊, 母志强, 董林玺, 张苗 

授权 

6 

CN104795101B 

半刷新机制的双端口静态随机存储器单元 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

7 

CN104730643B 

具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法 

陈鑫, 盛振, 汪敬, 甘甫烷, 武爱民, 仇超, 王曦 

授权 

8 

CN105845398B 

一种电感屏蔽环 

陈静, 吕凯, ？罗杰馨, ？柴展, ？何伟伟, ？黄建强, ？林泽, ？王曦 

授权 

9 

US9953118B2 

Modeling Method of SPICE Model Series of SOI FET 

陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 王曦 

授权 

10 

US9953118B2 

一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法 

陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 王曦 

授权 

11 

CN104977651B 

超高分辨率光子晶体超棱镜及其设计方法 

蒋寻涯, 李伟, 张小刚, 林旭林 

授权 

12 

CN207490105U 

一种电磁吸收超材料 

李铁, 余爱生, 李伟, 王跃林 

授权 

13 

CN105140171B 

一种绝缘体上材料的制备方法 

狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 陈达, 马骏, 张苗 

授权 

14 

CN105629522B 

硅基光调制器 

甘甫烷, 汪敬, 盛振, 武爱民, 仇超, 王曦, 邹世昌 

授权 

15 

CN105629519B 

硅基光调制器 

汪敬, 甘甫烷, 盛振, 武爱民, 仇超, 王曦, 邹世昌 

授权 

16 

CN105655242B 

掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法 

狄增峰, 王刚, 陈达, 郭庆磊, 马骏, 郑晓虎, 戴家赟, 薛忠营, 张苗, 丁古巧, 谢晓明 

授权 

17 

CN105789189B 

基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法 

俞文杰, 费璐, 刘强, 刘畅, 文娇, 王翼泽, 王曦 

授权 

18 

CN105977145B 

一种应变量子点的制备方法及应变量子点 

张苗, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 孙银波, 狄增峰, 王曦 

授权 

19 

CN104795100B 

半刷新机制的单端口静态随机存储器单元 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

20 

CN105304689B 

基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法 

程新红, 沈玲燕, 王中健, 曹铎, 郑理, 王谦, 张栋梁, 李静杰, 俞跃辉 

授权 

21 

CN105551518B 

一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

22 

CN105827224B 

一种高压模拟集成开关电路 

李新昌, 程新红, 吴忠昊, 张萌, 徐大伟, 羊志强, 俞跃辉 

授权 

23 

CN105680107B 

一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路 

李新昌, 程新红, 吴忠昊, 张萌, 徐大伟, 羊志强, 俞跃辉,  

授权 

24 

CN105895575B 

一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法 

俞文杰, 刘强, 刘畅, 文娇, 王翼泽, 王曦 

授权 

25 

CN105895801B 

利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法 

欧欣, 游天桂, 黄凯, 贾棋, 伊艾伦, 王曦 

授权 

26 

CN104678491B 

支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体及设计方法和应用 

蒋寻涯, 林旭林, 张小刚, 李伟, 陈亮 

授权 

27 

CN208110093U 

弯曲波导结构及偏振分束旋转器 

赵瑛璇, 仇超, 甘甫烷, 武爱民, 盛振, 李伟 

授权 

28 

CN106158933B 

SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法 

程新红, 夏超, 王中健, 徐大伟, 曹铎, 郑理, 沈玲燕, 王谦, 俞跃辉 

授权 

29 

CN105608292B 

一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法 

郑云龙, 桑泽华, 林敏, 杨根庆, 邹世昌 

授权 

30 

CN105895507B 

基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法 

俞文杰, 费璐, 刘强, 刘畅, 文娇, 王翼泽, 王曦 

授权 

31 

201810062550.4 

具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法 

狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 孙银波, 马骏, 张苗, 王曦 

实审 

32 

201810062548.7 

具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法 

狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 孙银波, 马骏, 张苗, 王曦 

实审 

33 

201810107653.8 

单晶压电薄膜异质衬底的制备方法 

欧欣, 鄢有泉, 黄凯, 游天桂, 王曦 

实审 

34 

201810130075.X 

SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法 

许灵达, 柴展, 王硕 

实审 

35 

US15755298 

一种相变型氧化钒材料及其制备方法Phase-change type vanadium oxide material and preparation method therefor 

欧欣, 贾棋, 黄凯, 王曦 

实审 

36 

201810146296.6 

一种基于SOI工艺的压控振荡器电路 

陈卓俊, 董业民, 单毅.   

实审 

37 

201810146750.8 

一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法 

陈卓俊, 董业民, 单毅.   

实审 

38 

201810145945.0 

一种用于锁相环的锁定检测电路 

陈卓俊, 董业民, 单毅.   

实审 

39 

201810215518.5 

一种薄膜异质结构的制备方法 

欧欣, 黄凯, 鄢有泉, 游天桂, 王曦 

实审 

40 

201810215491.X 

一种薄膜异质结构的制备方法 

欧欣, 黄凯, 鄢有泉, 游天桂, 王曦 

实审 

41 

201820359523.9 

基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 

沈玲燕, 程新红, 郑理, 张栋梁, 王谦, 顾子悦, 俞跃辉 

实审 

42 

201810218999.5 

弯曲波导结构及偏振分束旋转器 

赵瑛璇, 仇超, 甘甫烷, 武爱民, 盛振, 李伟 

实审 

43 

201810311806.0 

基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法 

欧欣, 张师斌, 黄凯, 游天桂, 王曦 

实审 

44 

201810311857.3 

用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法 

许灵达, 柴展, 王硕 

实审 

45 

201810368167.1 

异质薄膜复合结构及其制备方法 

欧欣, 林家杰, 黄凯, 游天桂, 王曦 

实审 

46 

201810446851.7 

一种三模冗余电路结构 

余超, 张宇飞, 董业民, 单毅, 常永伟 

实审 

47 

201810522926.5 

一种IGBT短路过流保护电路 

徐大伟, 李新昌, 程新红, 董业民, 朱弘月, 徐超 

实审 

48 

201810561734.5 

静态随机存储单元及其制作方法 

陈静, 王硕, 王本艳, 柴展 

实审 

49 

201810651434.6 

可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及其制备方法 

欧欣, 张师斌, 林家杰, 黄浩, 游天桂, 黄凯, 王曦 

实审 

50 

201810715873.9 

基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法 

狄增峰, 马喆, 薛忠营, 张苗, 梅永丰 

实审 

51 

201810714966.X 

一种转移石墨烯的方法 

狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗 

实审 

52 

201810736450.5 

一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法 

张苗, 高敏, 韩晓雯, 贾鹏飞, 薛忠营, 狄增峰 

实审 

53 

201810804283.3 

一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法 

狄增峰, 郑鹏荣, 董林玺, 薛忠营 

实审 

54 

201810803257.9 

在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法 

狄增峰, 郑鹏荣, 董林玺, 薛忠营 

实审 

55 

201810942371.X 

基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜 

欧欣, 张师斌, 周鸿燕, 黄凯, 王成立, 王曦 

实审 

56 

201810941708.5 

柔性半导体复合薄膜及其制备方法 

欧欣, 林家杰, 张师斌, 伊艾伦, 周鸿燕, 王成立, 王曦 

实审 

57 

201811035898.0 

异质薄膜结构的制备方法 

欧欣, 鄢有泉, 黄凯, 李忠旭, 游天桂, 王曦 

实审 

58 

201811067650.2 

一种CMOS电路与超导SFQ电路的单片集成方法 

陈晓杰, 董业民, 单毅, 刘艳, 常永伟 

实审 

59 

201811212888.X 

静态随机存储单元及其制作方法 

陈静, 王硕, 王本艳, 葛浩, 柴展 

实审 

60 

201810040795.7 

一种LLC谐振半桥转换器 

吴灯鹏, 程新红 

实审 

61 

201811243153.3 

低势垒高度肖特基二极管及其制备方法 

狄增峰, 刘冠宇, 张苗, 薛忠营 

实审 

62 

201811245546.8 

高密度锗纳米线的制备方法 

狄增峰, 杨悦昆, 薛忠营, 张苗 

实审 

63 

201811245526.0 

具有石墨烯的器件及其制备方法 

狄增峰, 杨悦昆, 刘冠宇, 郑鹏荣, 薛忠营, 张苗 

实审 

64 

201811301868.X 

SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法 

陈静, 王硕, 王本艳, 柴展, 葛浩 

实审 

65 

201811347767.6 

一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法 

欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 黄凯, 王曦 

实审 

66 

201811347796.2 

一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法 

欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 黄凯, 王曦 

实审 

67 

201811347792.4 

一种硅基异质集成碳化硅薄膜结构的制备方法 

欧欣, 伊艾伦, 游天桂, 黄凯, 王曦 

实审 

68 

201811359791.1 

一种氧化镓半导体结构及其制备方法 

欧欣, 游天桂, 徐文慧, 郑鹏程, 黄凯, 王曦 

实审 

69 

201811406131.4 

一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路 

龚正辉, 董业民, 杨文伟, 陈晓杰 

实审 

70 

201811501015.0 

温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 

仇超, 赵瑛璇, 甘甫烷, 武爱民, 盛振, 李伟 

实审 

71 

201811477274.4 

一种晶棒切片装置 

王刚, 沈伟民 

实审 

72 

201811477262.1 

一种晶棒切片方法 

王刚, 沈伟民 

实审 

73 

201811477368.1 

一种晶棒切片装置 

王刚, 沈伟民 

实审 

74 

201811477279.7 

一种晶棒切片装置 

王刚, 沈伟民 

实审 

75 

201811477291.8 

一种晶棒切片装置和方法 

王刚, 沈伟民 

实审 

76 

201811520405.2 

一种晶圆测试装置和方法 

王刚, 沈伟民 

实审