2018年专利
序号 |
授权/受理号 |
专利名称 |
发明人 |
状态 |
1 |
CN206849844U |
硅基Ge光探测器阵列 |
仇超,武爱民,盛振,高腾,甘甫烷,赵颖璇,李军 |
授权 |
2 |
CN206848526U |
硅基WDM光收发模块 |
仇超,虞婷婷,武爱民,盛振,高腾,甘甫烷,赵颖璇,李军 |
授权 |
3 |
CN104716191B |
双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法 |
陈静,杨燕,罗杰馨,柴展 |
授权 |
4 |
CN206931836U |
硅基单片集成激光器 |
仇超,龚谦,武爱民,高腾,盛振,甘甫烷,赵颖璇,李军 |
授权 |
5 |
CN104934294B |
一种绝缘体上应变薄膜结构及调节应变薄膜应力的方法 |
狄增峰,孙高迪,陈达,郭庆磊,母志强,董林玺,张苗 |
授权 |
6 |
CN104795101B |
半刷新机制的双端口静态随机存储器单元 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
授权 |
7 |
CN104730643B |
具有偏振不敏感特性的90°相移光混合器及其设计方法 |
陈鑫,盛振,汪敬,甘甫烷,武爱民,仇超,王曦 |
授权 |
8 |
CN105845398B |
一种电感屏蔽环 |
陈静,吕凯, ?罗杰馨, ?柴展, ?何伟伟, ?黄建强, ?林泽, ?王曦 |
授权 |
9 |
US9953118B2 |
Modeling Method of SPICE Model Series of SOI FET |
陈静,伍青青,罗杰馨,柴展,王曦 |
授权 |
10 |
US9953118B2 |
一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法 |
陈静,伍青青,罗杰馨,柴展,王曦 |
授权 |
11 |
CN104977651B |
超高分辨率光子晶体超棱镜及其设计方法 |
蒋寻涯,李伟,张小刚,林旭林 |
授权 |
12 |
CN207490105U |
一种电磁吸收超材料 |
李铁,余爱生,李伟,王跃林 |
授权 |
13 |
CN105140171B |
一种绝缘体上材料的制备方法 |
狄增峰,贾鹏飞,薛忠营,陈达,马骏,张苗 |
授权 |
14 |
CN105629522B |
硅基光调制器 |
甘甫烷,汪敬,盛振,武爱民,仇超,王曦,邹世昌 |
授权 |
15 |
CN105629519B |
硅基光调制器 |
汪敬,甘甫烷,盛振,武爱民,仇超,王曦,邹世昌 |
授权 |
16 |
CN105655242B |
掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法 |
狄增峰,王刚,陈达,郭庆磊,马骏,郑晓虎,戴家赟,薛忠营,张苗,丁古巧,谢晓明 |
授权 |
17 |
CN105789189B |
基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法 |
俞文杰,费璐,刘强,刘畅,文娇,王翼泽,王曦 |
授权 |
18 |
CN105977145B |
一种应变量子点的制备方法及应变量子点 |
张苗,贾鹏飞,薛忠营,郑晓虎,王刚,孙银波,狄增峰,王曦 |
授权 |
19 |
CN104795100B |
半刷新机制的单端口静态随机存储器单元 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
授权 |
20 |
CN105304689B |
基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法 |
程新红,沈玲燕,王中健,曹铎,郑理,王谦,张栋梁,李静杰,俞跃辉 |
授权 |
21 |
CN105551518B |
一种SOI单端口SRAM单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
授权 |
22 |
CN105827224B |
一种高压模拟集成开关电路 |
李新昌,程新红,吴忠昊,张萌,徐大伟,羊志强,俞跃辉 |
授权 |
23 |
CN105680107B |
一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路 |
李新昌,程新红,吴忠昊,张萌,徐大伟,羊志强,俞跃辉, |
授权 |
24 |
CN105895575B |
一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法 |
俞文杰,刘强,刘畅,文娇,王翼泽,王曦 |
授权 |
25 |
CN105895801B |
利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法 |
欧欣,游天桂,黄凯,贾棋,伊艾伦,王曦 |
授权 |
26 |
CN104678491B |
支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体及设计方法和应用 |
蒋寻涯,林旭林,张小刚,李伟,陈亮 |
授权 |
27 |
CN208110093U |
弯曲波导结构及偏振分束旋转器 |
赵瑛璇,仇超,甘甫烷,武爱民,盛振,李伟 |
授权 |
28 |
CN106158933B |
SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法 |
程新红,夏超,王中健,徐大伟,曹铎,郑理,沈玲燕,王谦,俞跃辉 |
授权 |
29 |
CN105608292B |
一种模拟单粒子脉冲长尾效应的建模方法 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
授权 |
30 |
CN105895507B |
基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法 |
俞文杰,费璐,刘强,刘畅,文娇,王翼泽,王曦 |
授权 |
31 |
201810062550.4 |
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法 |
狄增峰,贾鹏飞,薛忠营,孙银波,马骏,张苗,王曦 |
实审 |
32 |
201810062548.7 |
具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法 |
狄增峰,贾鹏飞,薛忠营,孙银波,马骏,张苗,王曦 |
实审 |
33 |
201810107653.8 |
单晶压电薄膜异质衬底的制备方法 |
欧欣,鄢有泉,黄凯,游天桂,王曦 |
实审 |
34 |
201810130075.X |
SOI NMOS总剂量辐射多偏置点电流模型建模方法 |
许灵达,柴展,王硕 |
实审 |
35 |
US15755298 |
一种相变型氧化钒材料及其制备方法Phase-change type vanadium oxide material and preparation method therefor |
欧欣,贾棋,黄凯,王曦 |
实审 |
36 |
201810146296.6 |
一种基于SOI工艺的压控振荡器电路 |
陈卓俊,董业民,单毅. |
实审 |
37 |
201810146750.8 |
一种锁相环电路单粒子敏感性的量化评估方法 |
陈卓俊,董业民,单毅. |
实审 |
38 |
201810145945.0 |
一种用于锁相环的锁定检测电路 |
陈卓俊,董业民,单毅. |
实审 |
39 |
201810215518.5 |
一种薄膜异质结构的制备方法 |
欧欣,黄凯,鄢有泉,游天桂,王曦 |
实审 |
40 |
201810215491.X |
一种薄膜异质结构的制备方法 |
欧欣,黄凯,鄢有泉,游天桂,王曦 |
实审 |
41 |
201820359523.9 |
基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件 |
沈玲燕,程新红,郑理,张栋梁,王谦,顾子悦,俞跃辉 |
实审 |
42 |
201810218999.5 |
弯曲波导结构及偏振分束旋转器 |
赵瑛璇,仇超,甘甫烷,武爱民,盛振,李伟 |
实审 |
43 |
201810311806.0 |
基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法 |
欧欣,张师斌,黄凯,游天桂,王曦 |
实审 |
44 |
201810311857.3 |
用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法 |
许灵达,柴展,王硕 |
实审 |
45 |
201810368167.1 |
异质薄膜复合结构及其制备方法 |
欧欣,林家杰,黄凯,游天桂,王曦 |
实审 |
46 |
201810446851.7 |
一种三模冗余电路结构 |
余超,张宇飞,董业民,单毅,常永伟 |
实审 |
47 |
201810522926.5 |
一种IGBT短路过流保护电路 |
徐大伟,李新昌,程新红,董业民,朱弘月,徐超 |
实审 |
48 |
201810561734.5 |
静态随机存储单元及其制作方法 |
陈静,王硕,王本艳,柴展 |
实审 |
49 |
201810651434.6 |
可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及其制备方法 |
欧欣,张师斌,林家杰,黄浩,游天桂,黄凯,王曦 |
实审 |
50 |
201810715873.9 |
基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法 |
狄增峰,马喆,薛忠营,张苗,梅永丰 |
实审 |
51 |
201810714966.X |
一种转移石墨烯的方法 |
狄增峰,戴家赟,王刚,郑晓虎,薛忠营,汪子文,张苗 |
实审 |
52 |
201810736450.5 |
一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法 |
张苗,高敏,韩晓雯,贾鹏飞,薛忠营,狄增峰 |
实审 |
53 |
201810804283.3 |
一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法 |
狄增峰,郑鹏荣,董林玺,薛忠营 |
实审 |
54 |
201810803257.9 |
在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法 |
狄增峰,郑鹏荣,董林玺,薛忠营 |
实审 |
55 |
201810942371.X |
基于应力补偿制备柔性单晶薄膜的方法及柔性单晶薄膜 |
欧欣,张师斌,周鸿燕,黄凯,王成立,王曦 |
实审 |
56 |
201810941708.5 |
柔性半导体复合薄膜及其制备方法 |
欧欣,林家杰,张师斌,伊艾伦,周鸿燕,王成立,王曦 |
实审 |
57 |
201811035898.0 |
异质薄膜结构的制备方法 |
欧欣,鄢有泉,黄凯,李忠旭,游天桂,王曦 |
实审 |
58 |
201811067650.2 |
一种CMOS电路与超导SFQ电路的单片集成方法 |
陈晓杰,董业民,单毅,刘艳,常永伟 |
实审 |
59 |
201811212888.X |
静态随机存储单元及其制作方法 |
陈静,王硕,王本艳,葛浩,柴展 |
实审 |
60 |
201810040795.7 |
一种LLC谐振半桥转换器 |
吴灯鹏,程新红 |
实审 |
61 |
201811243153.3 |
低势垒高度肖特基二极管及其制备方法 |
狄增峰,刘冠宇,张苗,薛忠营 |
实审 |
62 |
201811245546.8 |
高密度锗纳米线的制备方法 |
狄增峰,杨悦昆,薛忠营,张苗 |
实审 |
63 |
201811245526.0 |
具有石墨烯的器件及其制备方法 |
狄增峰,杨悦昆,刘冠宇,郑鹏荣,薛忠营,张苗 |
实审 |
64 |
201811301868.X |
SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法 |
陈静,王硕,王本艳,柴展,葛浩 |
实审 |
65 |
201811347767.6 |
一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法 |
欧欣,伊艾伦,游天桂,黄凯,王曦 |
实审 |
66 |
201811347796.2 |
一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法 |
欧欣,伊艾伦,游天桂,黄凯,王曦 |
实审 |
67 |
201811347792.4 |
一种硅基异质集成碳化硅薄膜结构的制备方法 |
欧欣,伊艾伦,游天桂,黄凯,王曦 |
实审 |
68 |
201811359791.1 |
一种氧化镓半导体结构及其制备方法 |
欧欣,游天桂,徐文慧,郑鹏程,黄凯,王曦 |
实审 |
69 |
201811406131.4 |
一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路 |
龚正辉,董业民,杨文伟,陈晓杰 |
实审 |
70 |
201811501015.0 |
温度不敏感马赫曾德尔干涉仪 |
仇超,赵瑛璇,甘甫烷,武爱民,盛振,李伟 |
实审 |
71 |
201811477274.4 |
一种晶棒切片装置 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
72 |
201811477262.1 |
一种晶棒切片方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
73 |
201811477368.1 |
一种晶棒切片装置 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
74 |
201811477279.7 |
一种晶棒切片装置 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
75 |
201811477291.8 |
一种晶棒切片装置和方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |
76 |
201811520405.2 |
一种晶圆测试装置和方法 |
王刚,沈伟民 |
实审 |