序号 

授权/受理号 

专利名称 

发明人 

状态 

1 

CN103558279B 

一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法 

俞文杰, 刘畅, 赵清太, 王曦 

授权 

2 

CN103607337B 

一种总线信号接收器 

张正民, 李建朋, 宁振球, 金星, 俞跃辉 

授权 

3 

CN103972148B 

一种超薄绝缘体上材料的制备方法 

张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 郭庆磊, 母志强, 狄增峰 

授权 

4 

EP2461359B1 

Method for forming substrate with insulating buried layer 

王湘, 魏星, 张苗, 林成鲁, 王曦 

授权 

5 

CN103943547B 

基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 魏星, 王刚 

授权 

6 

CN104200836B 

表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

7 

CN104332405B 

一种锗纳米线场效应晶体管及其制备方法 

狄增峰, 叶林, 许宝建, 蔡奇, 王刚, 张苗 

授权 

8 

CN104986728B 

一种大面积纳米阵列的制备方法 

欧欣, 贾棋, 斯蒂芬·福斯柯, 王曦 

授权 

9 

CN105129785B 

一种绝缘体上石墨烯的制备方法 

狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 贾鹏飞, 张苗 

授权 

10 

US9601337B2 

一种石墨烯调制的高K金属栅Ge基MOS器件的制作方法 

狄增峰, 郑晓虎, 王刚, 张苗, 王曦 

授权 

11 

CN104362093B 

一种SOI器件结构及其制作方法 

胡志远, 张正选, 宁冰旭, 毕大炜, 彭超, 邹世昌 

授权 

12 

CN104392992B 

一种基于SOI的硅控整流器ESD保护器件结构 

宁冰旭, 张正选, 胡志远, 邹世昌 

授权 

13 

CN104681054B 

一种应用于静态随机存储器电路的灵敏放大器 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

14 

CN104362174B 

SOI动态阈值晶体管 

陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦 

授权 

15 

CN104362174B 

SOI动态阈值晶体管 

陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦 

授权 

16 

CN104409503B 

多叉指栅极结构MOSFET的版图设计 

陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦 

授权 

17 

CN104409503B 

多叉指栅极结构MOSFET的版图设计 

陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦 

授权 

18 

CN104986722B 

一种纳米图形化方法 

欧欣, 斯蒂芬·福思柯, 贾棋, 王曦 

授权 

19 

CN104465651B 

一种SOI ESD两级保护网络 

宁冰旭, 张正选, 胡志远, 彭超, 樊双, 邹世昌 

授权 

20 

US9684094B2 

支持高频率敏感度自准直现象的光子晶体及设计方法和应用 

蒋寻涯, 林旭林, 张小刚, 李伟, 陈亮 

授权 

21 

CN105206689B 

一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法 

程新红, 郑理, 王中健, 曹铎, 王谦, 沈玲燕, 张栋梁, 俞跃辉 

授权 

22 

CN105129788B 

一种水基ALD诱使的可逆N型石墨烯制备方法 

程新红, 郑理, 王中健, 曹铎, 王谦, 沈玲燕, 张栋梁, 俞跃辉 

授权 

23 

CN104425341B 

一种低剂量注入制备绝缘体上半导体材料的方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 叶林, 母志强 

授权 

24 

CN104377143B 

一种测试MOS器件阱电阻的方法 

胡志远, 张正选, 宁冰旭, 毕大炜, 彭超, 邹世昌 

授权 

25 

CN105110324B 

一种制备无褶皱的石墨烯的方法 

狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 汪子文, 薛忠营, 张苗 

授权 

26 

CN104425342B 

一种厚度可控的绝缘体上半导体材料的制备方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 刘林杰, 母志强, 叶林 

授权 

27 

CN104517883B 

一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林 

授权 

28 

CN105088179B 

一种转移石墨烯的方法 

狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 汪子文, 张苗 

授权 

29 

CN104713931B 

基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法 

文娇, 俞文杰, 刘畅, 赵清太, 王曦 

授权 

30 

CN104241116B 

一种锗材料表面稳定钝化的方法 

许宝建, 蔡奇, 金庆辉, 赵建龙, 叶林, 狄增峰 

授权 

31 

CN104157579B 

一种多沟道全包围栅极的半导体器件结构的制备方法 

张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦 

授权 

32 

CN104681055B 

一种应用于静态随机存储器电路的高速电流灵敏放大器 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

33 

CN104750922B 

一种MOSFET的建模方法 

陈静, 吕凯, 罗杰馨, 柴展, 何伟伟, 黄建强, 王曦 

授权 

34 

CN104752308B 

一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法 

张苗, 陈达, 薛忠营, 郭庆磊, 王刚, 母志强, 狄增峰 

授权 

35 

CN105088166B 

一种相变型氧化钒材料及其制备方法 

欧欣, 贾棋, 黄凯, 王曦 

授权 

36 

CN105060286B 

一种褶皱状石墨烯的制备方法 

狄增峰, 戴家赟, 王刚, 郑晓虎, 薛忠营, 史晓华, 张苗 

授权 

37 

CN105068166B 

一种高线密度极紫外多层膜闪耀光栅的制备方法 

欧欣, 贾棋, 斯蒂芬·福斯柯, 王曦 

授权 

38 

CN106145021B 

光学微纳谐振腔结构及其制作方法 

李伟, 甘甫烷, 李明, 贾棋, 武爱民, 盛振, 王曦 

授权 

39 

CN104570207B 

一种大角度准自准直光子晶体及光子晶体准直度定量方法 

李伟, 李明, 甘甫烷, 武爱民, 王曦, 邹世昌 

授权 

40 

201710071303.6 

一种InP薄膜异质衬底的制备方法 

欧欣, 林家杰, 游天桂, 黄凯 

实审 

41 

201710076760.4 

晶圆键合方法及异质衬底制备方法 

黄凯, 欧欣, 张润春, 游天桂, 王曦 

实审 

42 

201710078428.1 

硅基Ge光探测器阵列及其制作方法 

仇超, 武爱民, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 赵颖璇, 李军 

实审 

43 

201710078304.3 

硅基WDM光收发模块 

仇超, 虞婷婷, 武爱民, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 赵颖璇, 李军 

实审 

44 

201710078430.9 

硅基单片集成激光器及其制作方法 

仇超, 龚谦, 武爱民, 高腾, 盛振, 甘甫烷, 赵颖璇, 李军 

实审 

45 

201710193706.8 

一种IGBT过流保护电路及方法 

徐大伟, 李新昌, 朱弘月, 程新红 

实审 

46 

201710371220.9 

Ge复合衬底、衬底外延结构及其制备方法 

欧欣, 张润春, 龚谦, 游天桂, 黄凯, 王曦 

实审 

47 

201710480815.8 

一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法 

程新红, 王谦, 李静杰, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉 

实审 

48 

201710592400.X 

一款基于SOI工艺的D触发器电路设计 

陈佳佳, 董业民, 袁春峰, 王正 

实审 

49 

201710711410.0 

沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法 

程新红, 王谦, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉 

实审 

50 

201710661954.0 

基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法 

程新红, 王谦, 李静杰, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉 

实审 

51 

201710678411.X 

一种MOS功率器件及其制备方法 

程新红, 王谦, 郑理, 沈玲燕, 张栋梁, 顾子悦, 钱茹, 俞跃辉 

实审 

52 

201710735726.3 

一种异质结构的制备方法 

王庶民, 欧欣, 王畅, 游天桂, 张焱超, 黄凯, 王利娟, 林家杰, 潘文武 

实审 

53 

200410017080.8 

一种绝缘层上硅结构及制备方法 

安正华, 林成鲁, 张苗, 刘卫丽, 门传玲 

实审 

54 

201711139470.6 

一种绝缘体上石墨烯的制备方法 

薛忠营, 王天波, 贾鹏飞, 狄增峰, 张苗 

实审 

55 

201711144435.3 

用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路 

徐大伟, 朱弘月, 董业民, 李新昌, 徐超 

实审 

56 

201711155137.4 

场效应晶体管结构及其制备方法 

薛忠营, 赵兰天, 赵清太, 俞文杰, 狄增峰, 张苗 

实审 

57 

201711194469.3 

一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路 

单毅, 董业民 

实审 

58 

201711223054.4 

一种ESD保护结构 

单毅, 董业民 

实审 

59 

201711250882.7 

一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路 

单毅, 董业民 

实审