序号 

授权/受理号 

专利名称 

发明人 

状态 

1 

US9230849B2 

Method for preparing ultra-thin material on insulator through adsorption by doped ultra-thin layer 

狄增峰, 陈达, 卞剑涛, 薛忠营, 张苗 

授权 

2 

CN103065932B 

一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构 

张苗, 刘林杰, 狄增峰, 高晓强, 陈达, 薛忠营, 姜海涛, 卞建涛 

授权 

3 

CN103646909B 

GOI结构的制备方法 

张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 叶林, 狄增峰 

授权 

4 

CN103646909B 

绝缘体上锗GOI结构的制备方法 

张苗, 陈达, 薛忠营, 王刚, 郭庆磊, 叶林, 狄增峰 

授权 

5 

CN103474386B 

一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 叶林, 王刚, 母志强 

授权 

6 

CN105321553B 

一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

授权 

7 

CN103021812B 

一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法 

狄增峰, 高晓强, 恭谦, 张苗, 王庶民 

授权 

8 

CN103560152B 

一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法 

赵清太, 俞文杰, 刘畅, 王曦 

授权 

9 

CN104298294B 

带有修调的高阶曲率补偿基准电压源 

万文艳, 程新红, 吴忠昊, 张扬, 金星 

授权 

10 

CN103560157B 

应变结构及其制作方法 

狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦 

授权 

11 

CN102790084B 

锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法 

狄增峰, 卞剑涛, 张苗, 王曦 

授权 

12 

CN103219275B 

具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法 

张苗, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王刚 

授权 

13 

CN103325788B 

一种八晶体管静态随机存储器单元 

陈静, 伍青青, 罗杰馨, 柴展, 吕凯, 王曦 

授权 

14 

US9299556B2 

Method for preparing semiconductor substrate with insulating buried layer gettering process 

魏星, 王中党, 叶斐, 曹共柏, 林成鲁, 张苗, 王曦 

授权 

15 

CN103346774B 

一种电流模驱动型的抗电磁干扰LIN驱动器 

李建朋, 张正民, 宁振球, 金星 

授权 

16 

CN103137539B 

一种绝缘体上Si/CoSi₂衬底材料及其制备方法 

张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦 

授权 

17 

CN103137538B 

一种图形化绝缘体上Si/NiSi₂衬底材料及其制备方法 

张波, 俞文杰, 赵清太, 狄增峰, 张苗, 王曦 

授权 

18 

CN103021818B 

微结构保角性转移方法 

狄增峰, 郭庆磊, 张苗, 魏星, 薛忠营, 母志强, 戴佳赟 

授权 

19 

CN103187248B 

一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法 

姜海涛, 张苗, 狄增峰, 卞建涛, 王曦 

授权 

20 

CN103646853B 

一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 叶林, 王刚, 郭庆磊, 母志强 

授权 

21 

CN103632930B 

利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法 

张苗, 陈达, 薛忠营, 卞剑涛, 母志强, 狄增峰 

授权 

22 

CN103646910B 

一种SGOI结构的制备方法 

张苗, 陈达, 狄增峰, 薛忠营, 王刚, 母志强, 叶林 

授权 

23 

CN102683217B 

一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法 

陈静, 余涛, 罗杰馨, 伍青青, 柴展 

授权 

24 

CN104157741B 

一种光电探测器的制备方法 

张苗, 母志强, 陈达, 薛忠营, 狄增峰, 王曦 

授权 

25 

CN103560153B 

一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 

刘畅, 俞文杰, 赵清太, 王曦 

授权 

26 

CN103618525B 

一种电流模比较器 

张正民, 李建朋, 董春雷, 宁振球, 金星, 秦英安, 俞跃辉 

授权 

27 

CN103985788B 

张应变锗MSM光电探测器及其制作方法 

狄增峰, 母志强, 郭庆磊, 叶林, 陈达, 张苗, 王曦 

授权 

28 

CN103684398B 

一种抗EMI LIN总线信号驱动器 

张正民, 李建朋, 金星, 宁振球, 俞跃辉 

授权 

29 

CN205566246U 

一种自适应的触发器加固电路 

郑云龙, 桑泽华, 林敏, 杨根庆,邹世昌 

授权 

30 

CN103633010B 

利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法 

狄增峰, 陈达, 薛忠营, 卞剑涛, 王刚 

授权 

31 

201610008087.6 

一种SOI 八晶体管SRAM单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

32 

201610008692.3 

一种SOI 八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

33 

201610008668.X 

一种SOI 单端口静态随机存储器单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

34 

201610008663.7 

一种SOI 六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

35 

201610008694.2 

一种SOI 双端口静态随机存储器单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

36 

201610008928.3 

一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

37 

201610008650.X 

一种SOI MOS器件及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

38 

201610008646.3 

一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 黄建强, 王曦 

实审 

39 

201610051351.4 

一种单粒子瞬态脉冲电流源的建模方法 

郑云龙, 桑泽华, 林敏, 杨根庆, 邹世昌 

实审 

40 

201610051734.1 

一种单粒子效应多位翻转的电路仿真方法 

郑云龙, 桑泽华, 林敏, 杨根庆, 邹世昌 

实审 

41 

PCT/CN2016/088056 

BATTERY MANAGEMENT CHIP CIRCUIT ON THE BASIS OF SILICON ON INSULATOR (SOI) PROCESS 

CHENG XINHONG, LI XINCHANG, WU ZHONGHAO, XU DAWEI, YU YUEHUI,  

实审 

42 

201610187620.X 

基于表面等离子体的硅基光源 

狄增峰, 李伟, 齐功民, 张苗, 母志强, 王曦 

实审 

43 

201610435759.1 

一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

44 

201610435778.4 

一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

45 

201610435817.0 

一种基于SOI的双端口SRAM单元及其制作方法 

陈静, 何伟伟, 罗杰馨, 王曦 

实审 

46 

201610459777.3 

一种去除石墨烯上光刻胶的方法 

狄增峰, 贾鹏飞, 薛忠营, 郑晓虎, 王刚, 马骏, 张苗, 王曦 

实审 

47 

201610527885.X 

一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法 

欧欣, 黄凯, 贾棋, 游天桂, 王曦 

实审 

48 

201610527908.7 

一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法 

欧欣, 黄凯, 贾棋, 游天桂, 王曦 

实审 

49 

201610591642.2 

一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法 

狄增峰, 马骏, 张苗, 王刚, 贾鹏飞, 汪子文, 王曦 

实审 

50 

201611005213.9 

一种大尺寸III-V异质衬底的制备方法 

欧欣, 龚谦, 游天桂, 黄凯, 林家杰, 张润春 

实审 

51 

201611103311.6 

一种大带宽硅基光调制器 

武爱民, 何兵, 仇超, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 王曦 

实审 

52 

201611100701.8 

一种基于硅光子晶体的三光束分光器 

武爱民, 何兵, 仇超, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 王曦 

实审 

53 

201611100728.7 

一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法 

武爱民, 何兵, 仇超, 盛振, 高腾, 甘甫烷, 王曦 

实审