2016年专利
序号 |
授权/受理号 |
专利名称 |
发明人 |
状态 |
1 |
US9230849B2 |
Method for preparing ultra-thin material on insulator through adsorption by doped ultra-thin layer |
狄增峰,陈达,卞剑涛,薛忠营,张苗 |
授权 |
2 |
CN103065932B |
一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构 |
张苗,刘林杰,狄增峰,高晓强,陈达,薛忠营,姜海涛,卞建涛 |
授权 |
3 |
CN103646909B |
GOI结构的制备方法 |
张苗,陈达,薛忠营,王刚,郭庆磊,叶林,狄增峰 |
授权 |
4 |
CN103646909B |
绝缘体上锗GOI结构的制备方法 |
张苗,陈达,薛忠营,王刚,郭庆磊,叶林,狄增峰 |
授权 |
5 |
CN103474386B |
一种利用C掺杂SiGe调制层制备SGOI或GOI的方法 |
张苗,陈达,狄增峰,薛忠营,叶林,王刚,母志强 |
授权 |
6 |
CN105321553B |
一种抗单粒子效应的静态随机存储器单元 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
授权 |
7 |
CN103021812B |
一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法 |
狄增峰,高晓强,恭谦,张苗,王庶民 |
授权 |
8 |
CN103560152B |
一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
赵清太,俞文杰,刘畅,王曦 |
授权 |
9 |
CN104298294B |
带有修调的高阶曲率补偿基准电压源 |
万文艳,程新红,吴忠昊,张扬,金星 |
授权 |
10 |
CN103560157B |
应变结构及其制作方法 |
狄增峰,母志强,郭庆磊,叶林,陈达,张苗,王曦 |
授权 |
11 |
CN102790084B |
锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法 |
狄增峰,卞剑涛,张苗,王曦 |
授权 |
12 |
CN103219275B |
具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法 |
张苗,陈达,薛忠营,狄增峰,王刚 |
授权 |
13 |
CN103325788B |
一种八晶体管静态随机存储器单元 |
陈静,伍青青,罗杰馨,柴展,吕凯,王曦 |
授权 |
14 |
US9299556B2 |
Method for preparing semiconductor substrate with insulating buried layer gettering process |
魏星,王中党,叶斐,曹共柏,林成鲁,张苗,王曦 |
授权 |
15 |
CN103346774B |
一种电流模驱动型的抗电磁干扰LIN驱动器 |
李建朋,张正民,宁振球,金星 |
授权 |
16 |
CN103137539B |
一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法 |
张波,俞文杰,赵清太,狄增峰,张苗,王曦 |
授权 |
17 |
CN103137538B |
一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法 |
张波,俞文杰,赵清太,狄增峰,张苗,王曦 |
授权 |
18 |
CN103021818B |
微结构保角性转移方法 |
狄增峰,郭庆磊,张苗,魏星,薛忠营,母志强,戴佳赟 |
授权 |
19 |
CN103187248B |
一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法 |
姜海涛,张苗,狄增峰,卞建涛,王曦 |
授权 |
20 |
CN103646853B |
一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法 |
张苗,陈达,狄增峰,叶林,王刚,郭庆磊,母志强 |
授权 |
21 |
CN103632930B |
利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法 |
张苗,陈达,薛忠营,卞剑涛,母志强,狄增峰 |
授权 |
22 |
CN103646910B |
一种SGOI结构的制备方法 |
张苗,陈达,狄增峰,薛忠营,王刚,母志强,叶林 |
授权 |
23 |
CN102683217B |
一种基于石墨烯的双栅MOSFET的制备方法 |
陈静,余涛,罗杰馨,伍青青,柴展 |
授权 |
24 |
CN104157741B |
一种光电探测器的制备方法 |
张苗,母志强,陈达,薛忠营,狄增峰,王曦 |
授权 |
25 |
CN103560153B |
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法 |
刘畅,俞文杰,赵清太,王曦 |
授权 |
26 |
CN103618525B |
一种电流模比较器 |
张正民,李建朋,董春雷,宁振球,金星,秦英安,俞跃辉 |
授权 |
27 |
CN103985788B |
张应变锗MSM光电探测器及其制作方法 |
狄增峰,母志强,郭庆磊,叶林,陈达,张苗,王曦 |
授权 |
28 |
CN103684398B |
一种抗EMI LIN总线信号驱动器 |
张正民,李建朋,金星,宁振球,俞跃辉 |
授权 |
29 |
CN205566246U |
一种自适应的触发器加固电路 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
授权 |
30 |
CN103633010B |
利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法 |
狄增峰,陈达,薛忠营,卞剑涛,王刚 |
授权 |
31 |
201610008087.6 |
一种SOI八晶体管SRAM单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
32 |
201610008692.3 |
一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
33 |
201610008668.X |
一种SOI单端口静态随机存储器单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
34 |
201610008663.7 |
一种SOI六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
35 |
201610008694.2 |
一种SOI双端口静态随机存储器单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
36 |
201610008928.3 |
一种SOI六晶体管SRAM单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
37 |
201610008650.X |
一种SOI MOS器件及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
38 |
201610008646.3 |
一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,黄建强,王曦 |
实审 |
39 |
201610051351.4 |
一种单粒子瞬态脉冲电流源的建模方法 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
实审 |
40 |
201610051734.1 |
一种单粒子效应多位翻转的电路仿真方法 |
郑云龙,桑泽华,林敏,杨根庆,邹世昌 |
实审 |
41 |
PCT/CN2016/088056 |
BATTERY MANAGEMENT CHIP CIRCUIT ON THE BASIS OF SILICON ON INSULATOR (SOI) PROCESS |
CHENG XINHONG, LI XINCHANG, WU ZHONGHAO, XU DAWEI, YU YUEHUI, |
实审 |
42 |
201610187620.X |
基于表面等离子体的硅基光源 |
狄增峰,李伟,齐功民,张苗,母志强,王曦 |
实审 |
43 |
201610435759.1 |
一种基于SOI的MOS器件结构及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
44 |
201610435778.4 |
一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
45 |
201610435817.0 |
一种基于SOI的双端口SRAM单元及其制作方法 |
陈静,何伟伟,罗杰馨,王曦 |
实审 |
46 |
201610459777.3 |
一种去除石墨烯上光刻胶的方法 |
狄增峰,贾鹏飞,薛忠营,郑晓虎,王刚,马骏,张苗,王曦 |
实审 |
47 |
201610527885.X |
一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法 |
欧欣,黄凯,贾棋,游天桂,王曦 |
实审 |
48 |
201610527908.7 |
一种用于制造支撑衬底上的单晶材料薄层结构的方法 |
欧欣,黄凯,贾棋,游天桂,王曦 |
实审 |
49 |
201610591642.2 |
一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法 |
狄增峰,马骏,张苗,王刚,贾鹏飞,汪子文,王曦 |
实审 |
50 |
201611005213.9 |
一种大尺寸III-V异质衬底的制备方法 |
欧欣,龚谦,游天桂,黄凯,林家杰,张润春 |
实审 |
51 |
201611103311.6 |
一种大带宽硅基光调制器 |
武爱民,何兵,仇超,盛振,高腾,甘甫烷,王曦 |
实审 |
52 |
201611100701.8 |
一种基于硅光子晶体的三光束分光器 |
武爱民,何兵,仇超,盛振,高腾,甘甫烷,王曦 |
实审 |
53 |
201611100728.7 |
一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法 |
武爱民,何兵,仇超,盛振,高腾,甘甫烷,王曦 |
实审 |