因研究工作需要，第三研究室现招聘博士后研究人员，具体要求如下：

1、研究方向：PCRAM存储芯片失效机理分析及失效模型建立

研究内容：针对8英寸及12英寸PCRAM芯片样品进行测试，统计失效样品的类型，分析失效机理，并建立PCRAM存储器失效模型体系。

具体要求：40周岁以下，博士毕业，电路及相关专业。

 

2、研究方向：多聚态的二氧化硅纳米材料的研究

研究内容：研制出可控的二聚、三聚或多聚的二氧化硅纳米材料。

具体要求：40周岁以下，博士毕业，化学及相关专业。

 

3、研究方向：二氧化硅为磨料的STI新型抛光液

研究内容：研制二氧化硅基的STI抛光液，二氧化硅和氮化硅的抛光选择比大于30.。

具体要求：40周岁以下，博士毕业，化学及相关专业。

 

联系方式：

符合条件者请将个人详细简历发送至以下信箱：（请注明申请做博士后）

chenxg@mail.sim.ac.cn，联系人：陈老师。

llwang@mail.sim.ac.cn，联系人：王老师。

 

 

                                                        人才教育处

                                              2009年5月12